He notado que muchos de los Mosfet de potencia son más baratos, tienen una mucho mayor \$I_{D}\$\$V_{DS}\$, y son comparables \ $R_{DS(on)}\$ \ $V_{GS(th)}\$ valores normales de MOSFETs entre otras ventajas (menor \$t_{d(on)}\$ horarios, etc.) sin aparente desventajas. Por ejemplo, el IPS105N03L G es más barato y más (aparte de tener un menor \$V_{DS}\$) parece ser mejor que el 2N7000 en cada manera posible.
IPS105N03L G
- \$I_{D}\$ = 35A
- \$V_{DS}\$ = 30V
- \$V_{GS}\$ = \$\pm\$20V
- \$R_{DS(on)}\$ = 15.5 mw (máx.)
- \$t_{d(on)}\$ = 3.7 ns
- \$t_{d(off)}\$ = 14ns
- \$V_{GS(th)}\$ = 1 - 2.2 V
2N7000
- \$I_{D}\$ = 0.2 a
- \$V_{DS}\$ = 60V
- \$V_{GS}\$ = \$\pm\$20V
- \ $R_{DS(on)}\$ 5Ω (max)
- \$t_{d(on)}\$ = 10ns
- \$t_{d(off)}\$ = 10ns
- \$V_{GS(th)}\$ = 0.8 - 3V
Lo que me estoy perdiendo aquí? Hacer Mosfet de potencia tiene ninguna desventajas importantes como tal, o son adecuados para uso general?