¿Qué es el "voltaje de la unidad" para un MOSFET?

Question

En los atributos de un MOSFET, Digi-Key enumera diferentes voltajes. Creo que entiendo lo que la mayoría de ellos, pero hay una que no entiendo: "voltaje de la unidad."

Vamos a tomar este P-MOSFET de canal como un ejemplo:

Por lo tanto, hay "Fuga a la Tensión de la Fuente", que es de 100V, que es la tensión máxima que el MOSFET puede cambiar.

Hay "Vgs(th)", que es de 4V, que es cuánto es el voltaje de la puerta tiene que cambiar con el fin de obtener el MOSFET para cambiar.

Hay "Vgs(Max)", el cual es de ±20V, que supongo que es la tensión máxima que puede aplicarse a la puerta.

A continuación, hay "Voltaje de la Unidad", que es de 10V. Esta es la que yo no entiendo. ¿Qué significa esto?

Answer 1

Real MOSFETs no son perfectos dispositivos, no sólo tiene que activar o desactivar con aplicación de Puerta-Fuente de voltaje. La cantidad de "EN" la corriente a través de la Fuente para el Drenaje es una función de la aplicación de GS tensión. Se trata de una empinada función, pero sigue siendo un continuo. Este es un ejemplo de esta dependencia, a partir de un tutorial:

Hojas de datos para los MOSFETs están tratando de simplificar este parámetro funcional mediante el suministro de "esquina", apunta.

La V"th" de voltaje es el voltaje, donde la corriente de drenaje es apenas mensurable, en el OP caso es de 250 uA, que sucede a las 4 de la V.

El "voltaje de la unidad" (que aparece como 10V) es el voltaje cuando el MOSFET está llevando a cabo para especificaciones completas, y puede entregar Un 8.4 de la corriente y tener la especificada Rds(on) la resistencia de menos de 0,2 Ohmios.

Answer 2

Para complementar lo que Stefan Wyss correctamente dijo en su respuesta, te voy a dar la explicación de ese parámetro.

Mosfet de potencia se utilizan a menudo para cambiar, por eso hay una baja R_DS(on) es importante en aplicaciones de conmutación. Saber en qué voltaje se puede alcanzar esa R_DS(on) es un parámetro importante porque usted puede decir inmediatamente, sin mirar las curvas en la hoja de datos, si el circuito podría conducir a que los MOSFET completamente o no.

Por ejemplo, si usted necesita para cambiar un 10A carga con una R_DS(on) de no más de 10 mΩ, usted puede buscar para los parámetros. Pero si que R_DS(on) es alcanzable sólo a 10V, mientras que sólo tiene una 5V powered MCU con ningún otro carril, usted sabe que el MOSFET no es conveniente (o necesario de circuitos adicionales para ser conducido).

Answer 3

El voltaje de la unidad es la puerta a la fuente de voltaje Vgs donde la estática de drenaje a la fuente de la resistencia RDS_ON se especifica en la hoja de datos, generalmente a 25°C.

En la hoja de datos vinculados, RDS_ON se especifica como un 0,2 Ohmios máx. (en Vgs = -10V).