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MOSFET o bipolar a la unidad de una válvula de solenoide?

Tengo a la unidad de 12V de la válvula solenoide. En la hoja de datos está escrito: Potencia: 8 W. por Lo que la corriente por el solenoide es 0.666 A.

Generalmente, para coche pequeño relé (de unos 10 o 20 mA) yo uso un transistor bipolar, pero con este tipo de corriente es posible? O tengo que usar un MOSFET porque mi bipolar se quema?

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lillq Puntos 4161

Me temo que no estoy de acuerdo con Matt conclusiones.

Usted puede encontrar BJTs con baja saturación de los voltajes. Una búsqueda rápida en Digikey activado este. A la 1 de la tensión de saturación es típicamente 45 mV, que es el equivalente a un FET con una \$R_{DS(ON)}\$ de 45 mΩ. No está nada mal para un BJT.
E incluso el 200 mV Matt se utiliza como un valor típico es absolutamente ningún problema: 0.67 Una que es de 130 mW, y la "gran desperdicio de energía" después de un año de operación continua es 1.17 kWh. Para el NSS60601MZ4 que se 0.26 kWh. No es lo que yo llamo "un montón".

El problema es otro. El mínimo \$h_{FE}\$ 120 a 1 se especifica para un \$V_{CE}\$ de 2 V, es decir, el transistor está no en la saturación. El 45 mV es para una base de corriente de 100 mA y 1 a Un colector de corriente. Ahora que's lo que yo llamo un desperdicio: el 100 mA no fluya a través de la carga. Si usted controla el transistor de un microcontrolador que vamos a tener el problema de que un microcontrolador no puede fuente que mucho de lo actual. Y, por último, la hoja de datos observa que el 100 mA el pulso, por lo que puede no ser capaz de hacer esto continuamente (aunque no he podido encontrar un valor máximo de la corriente de base).

Ese es el problema con BJTs, especialmente para corrientes superiores a alrededor de 0,5 A. Y aquí el MOSFET brilla. Coche actual: cerca de cero. \$R_{DS(ON)}\$: lo que usted desea pagar, de 1 mΩ es posible. Te voy a tener que buscar el mínimo voltaje de la puerta; para la conducción por un microcontrolador desea un nivel de lógica de la puerta de la FET.

Por lo tanto, si los Fet son tan grandes, ¿por qué todavía el uso de BJTs? Costo. Un BJT puede ser un 50% más barato que un FET. Es así de sencillo, la verdad.

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Scott menciona un Darlington para superar la corriente de conducción problema con el BJT. Yo no lo mencionan, y que debo tener. No porque sea una solución, pero porque no lo es! Un Darlington tiene un (mucho) mayor tensión de saturación de un común BJT; he visto a valores de hasta 4 V máximo. Pero incluso 1,5 V sería mucho si usted tiene un bajo voltaje de la fuente de 12 V: la reducción de la tensión en el solenoide significa que sólo alrededor del 75 % de los 8 W está disponible, y que puede ser demasiado poco para activar el solenoide. También, el transistor disipa 1 W, y un Darlington es más caro que el del común de los BJT, por lo que la ventaja en el costo, no cuenta.

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AndroidUser Puntos 26

BJTs hacer terrible cambia. Su Vce es típicamente alrededor de 300mV. Que es una especificación que está disponible en la hoja de datos. MOSFETs tienen típicamente una Rds de menos de 100 mOhms, haciendo Vds casi insignificante.

En este caso, ¿qué cantidad de atención que la totalidad de 12V es dejado caer a través del solenoide? Si que es importante, un MOSFET es la mejor opción. Un BJT podría manejar la actual, pero va a ser como usted está consiguiendo solamente 11.7 V a través de su válvula de solenoide.

Otra consideración es la disipación de energía, por la misma corriente. En realidad, el BJT actual será ligeramente inferior debido a la Vce.

BJT:

\$ P_q = I \cdot V = 0.666A \cdot 0.3V = 200mW \$

MOSFET

\$ P_q = I^2 \cdot R_{ds} = (0.666A)^2 \cdot 50m\Omega = 22mW \$

El MOSFET es 9 veces más eficiente que el BJT. Que puede ser importante si el dispositivo en cuestión está bajo operación continua.

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