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SDRAM ventajas

Como de RAM tecnologías (los básicos), considero que la clasificación inicial (basado en el almacenamiento) como

  • SRAM: La entidad básica de almacenamiento (cada celda) es el flip-flop (formada por los transistores). Tiene un acceso rápido en comparación con otros.Pero es caro y que ocupan mucho espacio debido a que el número de transistores empleados.

  • DRAM: Cada célula es un transistor condensador del circuito.El condensador actúa como un dispositivo de almacenamiento, mientras que el transistor es la unidad de control, la que decide si una lectura/escritura se debe realizar en la celda específica. También la memoria RAM del controlador de necesidades para la actualización de las células (que significa leer y escribir de nuevo) a intervalos regulares para superar las deficiencias de condensador de fuga

  • SDRAM: Esta es una sucesión de memoria DRAM, salvo que la operación en la memoria RAM está sincronizado con el reloj del sistema.

Me estoy encontrando dificultades en la comprensión de la ventaja de hacer la RAM operaciones sincrónicas. Cualquiera puede elaborar sobre esto por favor ?

3voto

Morris Maynard Puntos 49

La principal ventaja de la sincrónica diseño es que el comportamiento es fácil de predecir, modelar y validar porque todo sucede en una programación predefinida. Sin embargo, la espera por un tiempo determinado para realizar una acción hace sincrónico diseño más lento que un comparables asincrónica de diseño. Y aun cuando el circuito no está respondiendo a sus entradas lógicas, es todavía poder de atracción, ya sea para responder a la señal de reloj.

Una asincronía en el circuito puede ser mucho más rápido porque responde a sus entradas a medida que cambian. No hay que esperar por una señal de reloj antes de la transformación puede tener lugar. También puede tomar menos de energía, ya que no tienen nada que hacer cuando las entradas están inactivos y tener un mejor rendimiento EMI, puesto que no hay una constante señal digital flotando alrededor. Pero el diseño de estos sistemas es mucho más difícil porque todas las combinaciones de entradas a lo largo del tiempo deben ser tomados en cuenta para asegurar el correcto funcionamiento del circuito. Cuando las dos entradas de cambio en casi el mismo tiempo, esto se llama una condición de carrera y el circuito puede tener un comportamiento indefinido si el diseñador no plan para cada combinación de entradas en cada combinación de tiempo.

Comparando y contrastando síncrono asíncrono de diseño, usted está pensando probablemente que las grandes compañías como Samsung pueden gastar miles de millones en la investigación y el diseño para el modelado completo de una DRAM circuito, de modo que su funcionamiento es muy estable y, a continuación, tendríamos muy rápido, muy baja potencia la memoria. Entonces, ¿por qué SDRAM mucho más popular?

Mientras asincrónica diseño es más rápido que sincrónicos en secuencial de operaciones, que es mucho más fácil diseñar un circuito para realizar en paralelo o simulaciones de operaciones si las operaciones son sincrónicos. Y cuando la cantidad de operaciones que se pueden realizar al mismo tiempo, la ventaja de la velocidad de asincrónicas diseño desaparece.

Así que tres de las principales cosas a tener en cuenta a la hora de diseñar una memoria RAM de circuito son la velocidad, la potencia y la facilidad de diseño. SDRAM gana más de la llanura de DRAM en dos de cada tres de esos y por un margen muy grande.

Wikipedia citas:

Memoria de acceso aleatorio dinámico -

El cambio más significativo, y la razón principal que ha SDRAM suplantado asincrónica de RAM, es el soporte para múltiples interna los bancos dentro de la DRAM chip. El uso de un par de bits de la dirección de "bank", que acompañar a cada comando, un segundo banco puede activarse y comenzar a la lectura de los datos, mientras que una lectura desde el primer banco está en progreso. Por la alternancia de bancos, un SDRAM dispositivo puede mantener el bus de datos de forma continua ocupado, de manera que asincrónica DRAM no.

Synchronous dynamic random access memory -

Clásico DRAM tiene una interfaz asincrónica, lo que significa que responde tan rápidamente como sea posible a los cambios en las entradas de control. SDRAM tiene una interfaz sincrónica, es decir, a la espera de una señal de reloj antes de responder a las entradas de control y por lo tanto está sincronizado con el equipo del bus del sistema. El reloj se utiliza para la unidad de un interno máquina de estados finitos que los oleoductos comandos entrantes. Los datos el área de almacenamiento está dividida en varios bancos, lo que permite que el chip de trabajo en memoria de varios comandos de acceso en un momento, intercalada entre el los bancos separados. Esto permite un mayor acceso a los datos de las tasas de un asincrónica DRAM.

La canalización significa que el chip puede aceptar una nueva comando antes de que haya terminado de procesar la anterior. En un canalizado escribir, el comando de escritura puede ser seguida inmediatamente por otro comando, sin esperar que los datos se escriban en el matriz de memoria. En un pipeline de lectura, los datos solicitados aparece después de un número fijo de ciclos de reloj después de que el comando de lectura (latencia), reloj ciclos durante los cuales comandos adicionales que pueden ser enviados.

3voto

GSerg Puntos 33571

Asincrónica DRAM es siempre más lenta que la memoria DRAM sincrónica en la misma tecnología. Esto es porque el RAS, CAS, Estados Unidos y CS líneas en las DRAM deben ser secuenciados en un orden determinado para realizar operaciones de lectura y escritura en el chip. Además del mínimo anchos de pulso en cada una de estas líneas, hay de instalación y los tiempos de espera entre los diversos pares de ellos que necesitan ser permitido, y juntos, todos estos tiempos se suman a un relativamente largo tiempo de ciclo.

Mediante la adición de una señal de reloj común, un SDRAM elimina todos aquellos independiente de la instalación y mantener los requisitos de tiempo; en cambio, las cuatro líneas tienen los mismos requerimientos en relación a la de reloj común. Esto permite que el reloj sea mucho más rápido que el equivalente al número de aristas en el chip DRAM.

Además, como otros han señalado, el reloj síncrono permite tanto la interfaz externa y el funcionamiento interno de la SDRAM chip a ser fuertemente canalizado, permitiendo que muchas más lecturas y escrituras se producen en una determinada cantidad de tiempo. La latencia de lectura podría ser un poco más, porque de esta canalización, pero en general el ancho de banda de la memoria es mucho mayor.

Quiero señalar que también hay sincrónico Sram (SSRAMs) que se utilizan en los sistemas de alto rendimiento, por las mismas razones.

2voto

Chris Miller Puntos 2552

En adición a Dave de Tweed de la respuesta, SDRAM reloj es más fácil de poner. Específicamente en el reloj necesita ser "limpio". El control de los pines puede tener problemas técnicos siempre que 1) no violar más de/situarse por debajo de los requisitos 2) los que se establecen en el momento de satisfacer la SDRAM.

1voto

user13107 Puntos 313

La matriz de memoria en el interior de una DRAM y SDRAM son esencialmente los mismos (aunque hay diferencias). La clave de la SDRAM es que las colas de la memoria de acceso, de modo que usted no incurra en la misma carga para cada acceso. Así que ya sea en el modo de ráfaga o en la canalización de acceso no se inicia y luego se detuvo en cada acceso de lectura/escritura. Internamente las matrices de memoria se dividen en los bancos, así que la actividad que puede estar ocurriendo en un banco, mientras que otros la actividad está terminando en el otro. Esto significa que tienen más eficaz el rendimiento de todos los otros factores de la misma.

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