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El uso de un diodo para asegurar que la corriente fluye en una sola dirección, sin provocar una caída de tensión

A la alimentación de mi microcontrolador (ATmega8), estoy usando un ~5.4 V de la fuente de voltaje. Quiero para asegurarse de que yo no accidentalmente conecte la fuente de voltaje en inversa, y encontré un diodo sería una buena manera de lograr esto como de lo que he aprendido hasta ahora, un diodo permite que la corriente fluya en una sola dirección, y los bloques en el otro.

Pero lo que también he aprendido es que los diodos de crear una caída de voltaje. Tengo un par de las típicas (diodos 1N4001, 1N4148, etc.), y le gustaría utilizar para el logro de los mencionados resultado sin una caída de la tensión, ya que sería demasiado bajo para la potencia de la IC.

Mi pregunta es, hay alguna forma de hacerlo con un diodo? O necesito algún otro componente (si es así, ¿qué recomendaría usted)?

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aryeh Puntos 1594

Un diodo real está limitada por las leyes de la Física [tm]. Voltaje real dependerá de tensión y de corriente y del dispositivo utilizado, pero, como una guía, bajo la luz de carga de un diodo Schottky se puede gestionar algo menos de 0,3 V, pero esto normalmente se eleva a 0,6 V + como la carga de los enfoques máximo permitido. Alta corriente de los dispositivos puede tener hacia adelante caídas de tensión de más de 1V. Los diodos de silicio son peores por un factor de dos a tres.

El uso de un MOSFET en lugar de un diodo proporciona una resistente al canal para que la caída de tensión es proporcional a la corriente y puede ser mucho menor que la de un diodo.

El uso de un MOSFET de Canal P, como se muestra a continuación hace que el MOSFET para ser activado cuando la polaridad de la batería es correcta y se apaga cuando la batería se invierte. De circuito y de los demás a partir de aquí he usado este acuerdo comercial (uso de la imagen en el espejo acuerdo con un MOSFET de Canal N en la tierra) para un número de años con buen éxito.

Cuando la polaridad de la batería NO es correcta la MOSFET de puerta es positivo con respecto al origen y el MOSFET de puerta de origen 'cruce' es inversa sesgada, por lo que el MOSFET está apagado.

Cuando la polaridad de la batería es correcta, el MOSFET de puerta es negativo con respecto al origen y el MOSFET está correctamente sesgada y la corriente de carga "ve" en la FET Rdson = en tresistance. Cuánto de esto es depende de la FET elegido, pero 10 mω Fet se relatibely común. A las 10 mOhm y 1A se obtiene sólo 10 mili-Voltios de la gota. Incluso un MOSFET con Rdson de 100 milliohm sólo caída de 0,1 Voltios por amperios - mucho menos de lo que incluso un diodo Schottky.

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TI la nota de aplicación de corriente Inversa / de la batería de protección de circuitos

Mismo concepto que el anterior. N & P canal de versiones. MOSFETs citados son sólo ejemplos. Tenga en cuenta que el voltaje de la puerta Vgsth debe estar muy por debajo del mínimo de la tensión de la batería.

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lillq Puntos 4161

Usted no quiere un tan bajo como sea posible caída de tensión. El ATmega8 se especifica de 2.7 V a 5.5 V operación, y que 5.5 V es en realidad 5.0 V con un cierto margen. En la ficha podrás ver muchos de los parámetros especificados en 5 V.

Su tensión de alimentación es de ~5.4 V. ¿Qué hace el "~" significa? Que puede variar en un porcentaje? 3 % superior le da 5.56 V, que está fuera de las especificaciones. No provocar el AVR para ir en llamas, pero es un buen hábito que se adhieren a las especificaciones.

Así que deje que la caída de tensión. Permitir un 500 mV gota. El ATmega consumirá sólo un par de decenas de mA. Un 1N4148 caerá normalmente 900 mV a 50 mA, que yo aceptaría con mucho gusto, pero que pueden resultar demasiado alto. En ese caso ir a por el Schottky, como también se sugiere en otras respuestas. Usted no quiere un diodo Schottky con un 100 mV soltar, ir a propósito de uno con peores especificaciones. Este tendrá la baja de 450 mV a 100 mA.

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AnonJr Puntos 111

Dos ideas:

  1. El uso de un diodo Schottky en lugar de la normal PN de unión del diodo. Diodos Schottky tienen menos caída de tensión de diodos PN.
  2. Conectar el diodo a través de la oferta de modo que es normalmente polarización inversa. Cuando la alimentación está conectado al revés que el diodo conducirá y evitar que el voltaje inverso de exceder el diodo de la caída de voltaje directo. Usted necesitará una corriente limitada de suministro o de un fusible aguas arriba del diodo para que no se le pide llevar ilimitado actual.

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Aaron McIver Puntos 116
  • Un Schottky diodo de potencia le dará una caída de tensión tan bajas como 0,2 V
  • Hay muchos conectores disponibles que puede ser conectado a la inversa.
  • Muchas personas usan tres pines del conector con dos cables conectados. En este caso conectar a la inversa no conecte ambos cables.

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amartynov Puntos 1591

Los chicos de miss cómo obtener un cero de caída de tensión del diodo. Tomar 2 diodos, decir 1Nwhocares. El sesgo de uno a través de un resistor, obtener la .6V o así y aplicar el ánodo de la otra diodo a través de una segunda resistencia. Ejecutar el segundo diodo de cátodo a tierra con una tercera resistencia. El segundo diodo ahora está sesgada por el primer diodo. Coloca una tapa de entrada para el segundo diodo ánodo para obtener aislamiento de CC. Shazam, una de entrada de CA señales obtiene rectificado sin apreciable caída de tensión del diodo. Olvidar el germaniums y Shottkys, en el mejor de los que obtener como .3 v. Fácil de ajustar mi circuito para obtener una .05 caída de tensión. Acaba de hacer el primer diodo una corriente mayor para obtener una mayor caída de tensión. Hace un cruce por cero el comparador de muy bonito. Decir bien por errores de fase. Ajustes? Poner un límite a través de la primera diodo, eliminar el ruido. Hacer que la resistencia va a la segunda diodo ánodo bastante grande. Ayuda con señales pequeñas.

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