¿Cómo este simple nmos nivel de la palanca de cambios a romper mi STM32?

Question

Estoy tratando de leer algunos de 12V plaza de onda de las señales de un coche viejo con un STM32. He construido un cierto nivel de palancas de cambio, como se muestra a continuación a la baja rotación (e invertir) la señal para que yo pueda conectarlo a un GPIO.

^{simular este circuito – Esquema creado mediante CircuitLab}

Después de enganchar para arriba, mi STM32 descubrimiento de la junta se volvió negro y nunca regresó, así que estoy asumiendo que algunos pin tengo una sobretensión en algún lugar y yo estoy tratando de precisar. Es posible que mi nivel de shifer circuito de alguna manera se "filtró" la tensión y rompió mi STM32?

Gracias por cualquier sugerencia.

Answer 1

Con 500k de pullup tu Miller acoplamiento va a ser peor. Es proporcional a la ganancia del amplificador inversor. Aunque esté ejecutando riel a riel, hay una ganancia durante la transición.

Si la entrada de 12V de tensado demasiado rápido podría (tal vez) par suficiente voltaje para superar 3V.

He adjuntado una simulación que muestra lo que quiero decir. Aquí, el MOSFET es ideal (no parasitarias fuente-drenaje de la capacitancia de modelado) así que he añadido 10nF para imitar un verdadero MOSFET.

Answer 2

Si tienes la puerta y la fuente al revés cuando cableado pondría 12V (menos uno caída de diodo de alrededor de 0,7 voltios) en el pin GPIO. Aviso de los parásitos del diodo en la imagen de abajo: -

Recuerde también que no todos los T092 dispositivos tienen el mismo pin.

Siempre es sensato en este tipo de experimentos para el uso de un limitador de corriente de la resistencia en serie con el pin, si se aplica demasiada tensión, al menos, el actual sería limitada a un mA o menos. Que fácilmente podría salvar su STM32.

Answer 3

¿Tienes baja inductivo común motivos?, de par trenzado? EOS consciente de descarga de electricidad estática? potencia de hasta 3V antes de conectar el coche de 12 V? si no , que podría ser la razón. La condición para latchup es >0.7 V Vcc incluso durante el encendido. Que el uso de doble diodo Schottky para la protección de ESD evento puede ser más rápido que los diodos de responder durante la conexión o el poder, en algunas situaciones, sin ninguna sensación de un zap. por ejemplo. cargada de la capacitancia de los cables. para una mejor protección, agregar un RF de la tapa a la puerta de entrada y de salida cerca sensible entradas.

¿Necesita 100 MHz de ancho de banda? (no)

• así que elige 1000pF o cualquier valor adecuado y la evaluación de valores de R para los datos de tiempo de subida // C , este también atenúa la tapa de las descargas de decir 100pF dedo humano modelo de 10:1. Observar la integridad de la señal también de la capacitancia del cable en 50 a 150 pF/m

Una solución más robusta es una de 10k/3k3 R separador de cables largos a menos que usted quería una lógica inversor ... con tierra conectada primero que es lo que USB conectores.