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Umbral bajo MOSFET de canal N

Tengo un circuito que hace algo no importante, sino que se traduce en una salida, normalmente baja, y, a continuación, en la activación sube hasta un poco por debajo de Vcc. Por el momento, parece que mi Vcc es de 1.8 V y la señal llega a entre 1,2 V y 1.4 V. se desea utilizar esta señal para controlar la puerta de un n-MOSFET de canal, que se basa en el origen y tiene el drenaje atado a Vde cc a través de una gran carga resistiva.

El problema es la tensión umbral de la norma MOSFETs tengo parece ser demasiado alto, y tengo que subir Vcc a cerca de 2.2 V con el fin de obtener el circuito para activar el MOSFET correctamente. ¿Hay mejor MOSFETs para esta situación o algún otro diseño de la idea de que iba a funcionar bien y a resolver mi problema?

Por CIERTO, la velocidad de conmutación no es realmente una consideración... estamos hablando de 1 a 200 Hz para la frecuencia.

Nota de aplicación, consulte la página 3. Yo estaba esperando que yo sólo podría utilizar su circuito exactamente y sólo lío con la optimización de componentes, pero no parece funcionar en el 1,8 V.

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lillq Puntos 4161

No es difícil encontrar un FET con una \$V_{GS(th)}\$ de 1 V o menos, pero entonces una corriente en el microampere gama puede ser un problema. \$V_{GS(th)}\$ a menudo se especifica en 10 o incluso 100 veces superior a la actual, por lo que puede llevar a cabo en 100s de mV inferior.

La solución puede ser, de hecho, un transistor NPN. En cerca de cero voltios del voltaje de la base, usted tendrá una muy baja corriente de fuga, pero nada por encima de 0,6 V le dará una corriente de salida en el µA gama. 100 kΩ resistencia base va a hacer.

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aryeh Puntos 1594

Ir para, por ejemplo, Digikey
(1) CETSEMI hacer algunas magníficas piezas. Disponible en nueva zelanda a través de agentes. Puede ser difícil de encontrar en Estados Unidos.

Ejemplo CETSEMI CEM8208
20V, 7A doble MOSFET. Véase el siguiente gráfico. En Vgs = 1V y 25C que se manejan alrededor de 500 mA a ACEPTAR Vds. Más cálido es mejor :-).

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(2) la Búsqueda de los favoritos de las fuentes para el MOSFET de Canal N de la lógica
por ejemplo Digikeys MOSFET de Canal N de la lógica de resultados de búsqueda.
Seleccione solo MOSFETS.
Seleccione Vgth rango deseado - dicen que más de 400 mV.

Los siguientes son todos los menores de $1/1 en Digikey (último de conseguir un poco más caro).

El BSH103 puede hacer aunque un poco triste en baja baja Vgs

NTJS3157 - mejor

Mejor - Si4836Dy http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NTJS3157N-D.PDF


(3) Bipolar NPN va a hacer esto con facilidad. Super baja Vsat de la unidad de base mucho más corriente de colector. por ejemplo, si usted tiene 10 uA colector de corriente, por ejemplo 100 uA o 1 mA corriente de base va a dar mucho menor de lo habitual Vce_sat.

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