Mi pregunta es por qué JFET / FET se llama dispositivo controlado por voltaje mientras que BJT se llama corriente controlada como ambos voltaje requerido para funcionar correctamente. En ambos campos eléctricos se produce así que ¿por qué es la diferencia? Ahora la pregunta es que la corriente también se genera debido a la tensión y todavía BJT es controlado actual y FET controlado del voltaje.
¿Algunas ideas?
Debido a que la base-emisor de voltaje de un BJT en su operativo de la región se verán afectadas por la base-emisor de corriente, y viceversa, cambios en la base de voltaje del emisor de un transistor afectará el colector-emisor actual. Por otro lado, la cantidad de base-emisor de cambio de voltaje requiere que afectan a una determinada colector-emisor de cambio actual es a menudo enorme e impredecible; varían mucho con la temperatura, el envejecimiento, la fase de la luna, etc. Por el contrario, dentro de un transistor "lineal" operativo de la región, la duplicación de la base-emisor de corriente aproximadamente el doble del colector-emisor actual. No absolutamente-precisamente el doble, pero muy cerca. Tal comportamiento es mucho más predecible que la relación entre base-voltaje del emisor y base-colector de corriente.
Un FET o MOSFET por el contrario no tiene ninguna puerta actual, excepto para las corrientes resultante de las fugas o la capacitancia parásita. Las corrientes no son exactamente cero, pero los fabricantes en general, tratar de minimizarlos. Como tal, no es realmente posible para caracterizar el transistor de la respuesta a los diferentes niveles de la puerta actual. La relación entre la puerta de la tensión de la fuente y el drenaje-fuente de corriente no es tan predecible como la relación entre base-emisor actual y colector-emisor de corriente en un BJT, pero es un siendo apta para ser la más predecible manera de caracterizar el dispositivo de la operación (es mucho más predecible y consistente que la relación comparable en un BJT).
La afirmación es incorrecta. Ambos dispositivos son controlados por voltaje. El modelo exacto para un transistor bipolar es el de Ebers-Moll de la ecuación.
Nota cómo la variable independiente en el de Ebers-Moll de la ecuación es: \$V_{BE}\$. No corriente de base!
Un BJT es un trasnconductancia dispositivo, como un JFET.
La idea de que un BJT amplifica actual es una característica del modelo aproximado que puede ser utilizado para el diseño de la mayoría de simple BJT circuitos.
Un particular simplificación/idealización de los BJT es un dispositivo actual, no el real BJT. Simplemente no funciona de esa manera. No sólo hay un pequeño demonio en la base que cuenta con los electrones se mueven a través de la base, y prescinde de \$\beta\$ veces que muchos de los electrones en el colector.
En BJTs, el emisor de la corriente es proporcional a la corriente de base (esta es la hFE del valor de los BJT), mientras que en los FETs de la fuente/drenaje de corriente es proporcional a la puerta de la tensión. Lo que esto significa en la práctica, es que si usted tiene una fuente de voltaje puede tener una fuente de muy poca corriente (como el dedo, después de que ha arrastrado los pies a través de una moqueta de la habitación para crear un poco de electricidad estática), puede utilizar esta señal para controlar la FET, pero no de un BJT.
En palabras muy simples y no las matemáticas involucradas:
Fet en general, la fuente corriente de drenaje es controlado con una muy poca corriente de la compuerta.
BJTs requieren más actual, porque de cómo funciona, colector-emisor de corriente es proporcional a la corriente de la base.
Tanto el uso de la tensión y la corriente, pero la impedancia de FET son tan altas, y la corriente que necesitan controlar es tan baja, que sólo se necesita una tensión de encima de la puerta para hacer el control. Es por eso Fet se considera la tensión de los dispositivos controlados.
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