En BJT los voltajes de polarización Vbe y Vce están siempre presentes en los cálculos.
¿Es la tensión Vbc ausente de cualquier ecuación porque uno del colector, base y emisor está conectado a tierra o cualquier otro motivo relativo a la teoría de semiconductores?
Respuesta
¿Demasiados anuncios?
Usted está incorrecto en tu titulado afirmación. Pero puedo adivinar de dónde viene.
La mayoría de la gente utiliza el más simple de los conceptos que necesitan para hacer el trabajo. Están preocupados por la tensión, \$V_{BE}\$, que es algo impactado por el colector actual y muy afectado por la temperatura... así que eso es importante... y \$V_{CE}\$ está inmediatamente relacionada con si o no el BJT está saturado o no, y esto afecta a preguntas muy básicas acerca de \$\beta\$, posibilidad de disipación y la temperatura de operación, que son también bastante importante. Además, si usted sabe \$V_{BE}\$\$V_{CE}\$, entonces usted sabe \$V_{BC}\$. Quizás atención acerca de que, demasiado. Por ejemplo, el efecto Temprano... Pero es de importancia secundaria.
Pero usted está equivocado, de todos modos. El primer modelo del transistor para aprender acerca es el de Ebers-Moll modelo. Es el nivel 1 incluye el modelo de tres distintas maneras de mirar el BJT: transporte, inyección, y el híbrido-pi. Son equivalentes puntos de vista, pero tienen diferentes áreas donde son más fáciles de aplicar.
Veamos el modelo de inyección de primera (dirigiéndose a sí mismo a diodo corrientes):
- \$I_F = I_{ES} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right] \$
- \$I_R = I_{CS} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right] \$
- \$ I_C = \alpha_F \cdot I_F - I_R \$
- \$ I_B = \left( 1 - \alpha_F \right) \cdot I_F + \left( 1 - \alpha_R \right) \cdot I_R \$
- \$ I_E = -I_F + \alpha_R \cdot I_R \$
Ahora, la versión de transporte (dirigiéndose a sí mismo a la recogida corrientes):
- \$I_{CC} = I_S \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right] \$
- \$I_{EC} = I_S \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right] \$
- \$ I_C = I_{CC} + \left[ -\frac{1}{\alpha_R} \right] \cdot I_{EC} \$
- \$ I_B = \left[ \frac{1}{\alpha_F} - 1 \right] \cdot I_{CC} + \left[ \frac{1}{\alpha_R} - 1 \right] \cdot I_{EC} \$
- \$ I_E = \left[ -\frac{1}{\alpha_F} \right] \cdot I_{CC} + I_{EC} \$
Por último, la no-linear híbrido-\$\pi\$ (niza, porque alineando en la pequeña señal caso lleva directamente a la conocida lineal de pequeña señal híbrida-\$\pi\$ modelo):
- \$\frac{I_{CC}}{\beta_F} = \frac{I_S}{\beta_F} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right] \$
- \$\frac{I_{EC}}{\beta_R} = \frac{I_S}{\beta_R} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right] \$
- \$I_{CT} = I_{CC} - I_{EC}, \rm{(generator \,\, current)}\$
- \$ I_C = \left( I_{CC} - I_{EC} \right) - \frac{I_{EC}}{\beta_R} \$
- \$ I_B = \frac{I_{CC}}{\beta_F} + \frac{I_{EC}}{\beta_R} \$
- \$ I_E = -\frac{I_{CC}}{\beta_F} - \left( I_{CC} - I_{EC} \right) \$
Como se puede ver ahora, \$V_{BC}\$ cifras bastante prominente en la más básica y de primer nivel BJT de modelado. Y no se detiene allí. Está presente en la EM1 (DC perspectiva), EM2 (más preciso DC con 3 nuevos constante con valores de resistencias en cada plomo, 1er fin de modelado de almacenamiento de carga para freq. y el tiempo), EM3 (basewidth modulación - Principios efecto, la variación de la corriente directa de ganancia con colector de corriente, el resto de los DC y AC, mejoras, etc), Gummel-Poon (basewidth mod y \$\beta\$ vs I, CA y variaciones con ambiente temps, etc), las versiones modificadas de aquellos, e incluso en los modelos más recientes. Usted simplemente no han sido expuestos a incluso el primer nivel de BJT de modelado, sin embargo. Eso es todo. Eso es porque para muchos (si no la más) de las necesidades, se puede simplificar la básica BJT EM1 modelo aún más e ignorar un poco y todavía salir bien.
