Estoy empezando a preguntarme si las resistencias de 1k son demasiado pequeñas, ya que son más pequeñas que la impedancia de salida de 2,2k del micrófono.
Esos son la impedancia de salida del micrófono. Si miras la ficha técnica de la cápsula del micrófono verás un circuito equivalente:
![capsule equivalent circuit]()
No sé por qué los fabricantes siempre muestran el FET como un triángulo. Así es como está configurado en realidad:
![same thing but with normal FET symbol]()
Así que esto es realmente un amplificador de fuente común :
![common source amplifier]()
La impedancia de salida de un amplificador de fuente común es simplemente \$R_\text{D}\$ , la resistencia de drenaje, por lo que cuando la hoja de datos dice "impedancia de salida (Zout) 2,2 KΩ", en realidad quieren decir "impedancia de salida de nuestro circuito de ejemplo ".
Con \$R_\text{S}\ = 0\$ la ganancia de tensión del amplificador de fuente común es proporcional a \$R_\text{D}\$ ya que el FET actúa como una fuente de corriente, por lo que la tensión resultante viene determinada por V = I(FET) * Rd.
¿Qué resistencia debe elegir? Depende. Por lo general, se desea una ganancia alta en la primera etapa para poder reducir la ganancia de las etapas siguientes, lo que disminuye el ruido. La distorsión también disminuye al aumentar la ganancia. No se puede aumentar \$R_\text{D}\$ Sin embargo, siempre hay un punto en el que la corriente es demasiado baja y la distorsión aumenta y la ganancia cae repentinamente. Además, si se espera que el micrófono capte altos niveles de presión sonora, no debes aumentar demasiado la ganancia o se cortará.
No sé cómo optimizar la ganancia basándome en los parámetros de la hoja de datos, pero me gustaría saberlo. Para la producción en masa, el gm de los FETs variará de una unidad a otra (y posiblemente el tipo de FET cambiará de una cápsula a otra aunque tengan el mismo número de pieza), por lo que optimizar la ganancia máxima para un FET específico es probablemente una mala idea.
