Yo estaba mirando a través de la UNA-31 de Circuito Op Amp Colección de Semiconductor Nacional (TI ahora) y vi esta precisión sumidero de corriente:
Entiendo que la 2N3456 JFET es para eliminar la beta error causado por la conexión de la base del BJT directamente a la salida del amplificador operacional (como en este circuito). También parece ser el caso de que el BJT es necesario para proporcionar suficiente corriente de salida, como el 2N3456 hoja de datos indica que el JFET se puede hundir en la mayoría de los \$I_{\text{DSS(max)}} = 1\text{ mA}\$. Por qué no usar simplemente un JFET (o un MOSFET) que puede hundirse más actual?
No es sólo Nacional/TI que tiene este circuito -- Lineal de la Tecnología LT1001 Precisión sumidero de Corriente utiliza el JFET + BJT combinación así:
De nuevo, la hoja de datos para el 2N3685 JFET indica que tiene una baja \$I_{\text{DSS}}\$ y el BJT es necesario para aumentar la corriente de salida capacidad. Es que la única razón por la que el JFET + BJT se utiliza, o es que hay algún otro beneficio de usar un JFET + BJT en lugar de un único FET que puede hundir una corriente más alta?
