Los diodos tienen una relación logarítmica entre la corriente a través del diodo y el voltaje a través del diodo. Un diez:1 aumento de la corriente provoca 0.058 voltios aumento en el diodo. (0.058 V depende de varios parámetros, pero se puede ver que el número de lotes en el chip de silicio bandgap de voltaje referencias].
¿Qué pasa si la corriente cambia de 1.000:1, ya sea aumentando o disminuyendo? Usted debe esperar a ver (al menos) 3 * 0.058 voltios cambio en Vdel diodo.
¿Qué pasa si la corriente cambia de 10.000:1? Esperar al menos 4 * 0.058 voltios.
A altas corrientes (1 mA o más), el grueso de la resistencia de la silicona comienza a afectar el comportamiento logarítmico, y se obtiene más de una línea recta relación entre Idiodo y Vdel diodo.
La ecuación general para este comportamiento implica "e", 2.718, con el consiguiente
$$Idiode = Is * [e^-(q*Vdiode/K*T*n) - 1]$$
y a la temperatura ambiente y el ideal de dopaje de perfiles (n=1)
$$Idiode= Is *[e^-Vdiode/0.026 -1]$$
Por cierto, este mismo comportamiento existe para el transistor bipolar emisor-base de diodos. Suponiendo 0.60000000 voltios a 1 mA, a 1 µA, esperar 3 * 0.058 V = 0.174 V menos. En 1 na, esperar 6 * 0.058 V = 0.348 V menos. En 1 picoampere, esperar 9 * 0.058 voltios = 0.522 voltios menos (terminando con sólo 78 de milivoltios a través del diodo); tal vez este puro-registro de comportamiento deja de ser una herramienta precisa, cerca de cero voltios Vdel diodo.
Aquí es Vbe parcela de más de 3 décadas de Ic; esperamos que, al menos, 3*0.058 voltios o 0.174 voltios; la realidad de este transistor bipolar es de 0,23 voltios.