Mirando las hojas de datos de Diodes Inc., tengo problemas para seguir sus cálculos de límite de disipación de potencia para sus MOSFETS.
Por ejemplo, para DMG4496SSS http://www.diodes.com/_files/datasheets/ds32048.pdf
En la página 1 se especifica
- I_D(max) = 8A @ V_GS=4,5V (con un R_DS(on) = 0,029 ohm)
Pero entonces la hoja de datos también da en la página 2:
- Potencia disipada P_D = 1,42 W
- Temperatura de unión T_J = 150°C
- Resistencia térmica R_ \theta = 88,49 K/W
Y en la página 3:
- R_DS(on) @ V_GS=4,5V, I_DS=8A aproximadamente 0,024 ohm
A mí me parece un gran lío:
- P = 0,029 ohmios * (8A)^2 = 1,86 W que es significativamente mayor que la disipación de potencia permitida de P_D = 1,42 W de la página 2
- incluso con el valor R_DS(on)=0,024 ohmios de la página 3, P = 1,54 con sigue siendo mayor que la disipación de potencia permitida
- las cifras de disipación de potencia permitidas son, al menos, autoconsistentes: P_D =(T_J-T_A) / R_ \theta = (150°C-25K) / 88,49 K/W = 1,41 W
- Sin embargo, las gráficas R_DS(on) vs V_GS e I_D vs V_DS parecen ser inconsistentes: Mirando el caso de V_GS = 3,5 V: En la fig. 1, la tangente en el punto (V_DS=0,5V, I_D=10A) es de aproximadamente 6A/0,5V lo que parece implicar un R_DS(on) = 0,5V/6A = 0,083 ohm. Sin embargo, mirando la figura 3, el R_DS(on) es más bien 0,048 ohmios a 10A.
¿Cómo utilizar las hojas de datos de Diodes Inc?
Entonces, teniendo en cuenta la hoja de datos, ¿cómo se calcularía I_DS(max) siempre que haya algún V_GS y algún V_DS? Por ejemplo, V_GS = 6V y V_DS = 12V.
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Ten un +1 de mi parte, únicamente por leer una hoja de datos con tanto detalle.
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Buen artículo relacionado: mcmanis.com/chuck/robotics/projects/esc2/FET-power.html
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@jippie Gracias por la referencia, desgraciadamente eso explica por qué la potencia nominal del MOSFET es MENOR que la sugerida por las cifras P_D y R_DS(on). En la hoja de datos a la que hice referencia, la potencia nominal es MAYOR que la sugerida por P_D y R_DS(on)... - Lo primero es completamente lógico, lo segundo no debería ser físicamente posible.
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1. I_Dmax suele especificarse a V_GS = 10V o quizás 5V para un MOSFET de nivel lógico. 2. La I_Dmax no está limitada por la disipación de potencia de la manera que usted piensa: imagine pulsos de 100ns con un ciclo de trabajo del 1%. En tal caso sería posible pasar 30V/0,024Ohm = mucho más de 8A sin superar nunca el límite de disipación de potencia, y aun así destruir el dispositivo. Las especificaciones de la primera página suelen ser valores típicos y no garantizados, por lo que yo no las tomaría demasiado en serio si se contradicen ligeramente en otras partes. ¿Ayuda eso un poco?
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También debo decir que la resistencia térmica no es una cantidad estática, sino que depende del tiempo, ya que el MOSFET tiene una determinada capacidad térmica y una tasa de difusión térmica. Los pulsos de corriente poco frecuentes y potentes lo calentarán básicamente sólo en la medida de su valor eficaz, no de forma instantánea hasta la incandescencia. Véase también (35352) .