Introducción:
Para evitar cualquier confusión terminológica, se pregunta en el contexto de la Física del Estado Sólido y los semiconductores.
La definición canónica dada para la masa efectiva es que está relacionada con la curvatura de las bandas de conducción y de valencia en la estructura de bandas (dispersión de energía en términos del vector k) para electrones y huecos respectivamente. Así pues, $m_{eff}$ está dada por: $$m_{eff}^{-1} = \hbar^{-2}\frac{\partial^2 E}{\partial k^2} \tag{*}$$
Además, para los agujeros, a menudo hay que distinguir entre los ligeros y los pesados, ya que la estructura de bandas puede contener múltiples bandas de valencia con diferentes curvaturas. Las masas efectivas se suelen tabular en términos de masas de electrones libres, por ejemplo, para el Silicio sabemos que los agujeros pesados tienen $49\%$ la masa del electrón libre y los agujeros ligeros $16\%.$
Pregunta:
- Tengo curiosidad por saber cómo se miden experimentalmente las masas efectivas de un material determinado (GaAs, Ge, ...). ¿Cuáles son los métodos más utilizados? Sería esclarecedor conocer las ideas clave que hay detrás de estos procedimientos experimentales.
- ¿Existen formas directas e indirectas de medir $m_{eff}?$ (indirecta en el sentido de que medimos otros observables de los que podemos inferir de forma fiable cuáles deberían ser las masas efectivas, y directa en el sentido de que un experimento designado únicamente para medir $m_{eff}.$ )
- Si una exposición útil de las ideas implicadas es difícil de aplicar en dicha plataforma, no dude en remitirse a la literatura pertinente donde se ofrece una exposición sólida.