Al ver algunos esquemáticos en los que se ha colocado el diodo de retroceso o de absorción a través de los terminales C-E del transistor (Configuración derecha), en lugar de lo que típicamente he visto como el diodo de absorción colocado a través de los terminales de la bobina (Configuración izquierda).
¿Cuál de estos es el "correcto"? ¿O cada uno tiene un propósito diferente?
Cabe mencionar que los diodos normalmente son listados como diodos externos del tipo 1N400x (en Darlington TIP120), no como el diodo interno del BJT o del Mosfet.
Nota final, he visto algunos esquemáticos que tienen ambos diodos, uno a través de la bobina y otro a través de los terminales CE. Supongo que uno es simplemente redundante sin afectar realmente el circuito en ese caso, ¿es una suposición errónea?
simular este circuito – Esquemático creado usando CircuitLab
La respuesta a ¿Cuándo/por qué utilizarías un diodo Zener como diodo de absorción (en la bobina de un relé)? aborda esto levemente, mostrando un Diodo regular en la configuración izquierda anterior, mientras muestra un Diodo Zener en la configuración derecha. No dice que lo contrario no sea verdadero (o por qué) Así que como una segunda parte, ¿puede un Zener funcionar en la configuración izquierda y un diodo regular en la configuración derecha? Si es así, ¿cómo cambia su funcionamiento?
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