Etapa de empuje y tracción de transistor para conducir un Mosfet

Question

simular este circuito – Esquemático creado utilizando CircuitLab

Hola,

Quiero hacer una etapa de empuje y tracción basada en transistores para conducir un Mosfet de 30V.

La GPIO de la uC conduce la etapa del transistor con 3.3V y GND para encender y apagar el Mosfet.

En la hoja de datos, el Mosfet tiene un rango de voltaje de umbral de 1.5V a 2V.

El problema es:

Cuando la GPIO enciende el transistor NPN para encender el Mosfet, la compuerta tiene un máximo de 2,7V debido al diodo base-emisor y estos 2,7V no son suficientes para conducir el Mosfet en la región de saturación para permitir suficiente corriente a través de la carga.

Sospecho que también podría elevar la temperatura del Mosfet que se está conduciendo en la Región Ohmica.

Mi pregunta es:

¿cómo podría tener más voltaje en la compuerta? ¿o debería buscar otro Mosfet con un voltaje de umbral muy bajo?

Gracias por sus sugerencias.

EDITAR:

Se reemplazó el Mosfet por uno con un voltaje de umbral más bajo.

Los transistores NPN y PNP se cambiaron por aquellos que tienen resistencias de polarización integradas también.

Answer 1

El problema con su esquemático es que el buffer hecho por Q1 y Q2 no puede seguir adecuadamente su voltaje de entrada. Siempre habrá un Vbe perdido a través de la Base-Emisor de Q1 cuando la entrada sea de 3.3 V.

Una solución mejor es hacer un "correcto" nivelador de voltaje como este:

simular este circuito – Esquemático creado usando CircuitLab

Note que necesitará invertir la señal GPIO ya que ahora 0 Voltios encenderá el NMOS y 3.3 Voltios lo apagará.

Answer 2

Consigue un controlador de MOSFET como el IR2110 y deshazte de los BJT porque ese circuito nunca funcionará bien.

Estoy seguro de que puedes encontrar una versión de un solo canal de un dispositivo similar.

Answer 3

Utilice un controlador de polo totem:

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