Los circuitos de protección contra polaridad inversa parecen estar mal

Question

He estado investigando sobre la protección contra polaridad inversa y he encontrado muchos recursos que recomiendan utilizar un MOSFET de canal P con un diodo Zener.

Cada uno de estos circuitos muestra el MOSFET invertido - como si la corriente fluyera de drenaje->fuente, cuando en realidad la corriente en los P-FET fluye de fuente->drenaje.

Algunos de los artículos tienen incluso un comentario que se hace eco de mi confusión. ¿Me estoy perdiendo algo o hay alguna razón por la que todos estos circuitos parecen incorrectos?

Algunos ejemplos:

• Este

• Ese

• Este otro

Si estos circuitos son mal, entonces supongo que es algo más que el MOSFET que se invierte, y el diodo Zener todavía debe estar entre la fuente y la puerta. ¿Es correcto?

Answer 1

Este circuito parece impar la primera vez que lo ves. Cuando un MOSFET (canal P o N) está encendido conduce en ambas direcciones.

Pero, para que un MOSFET discreto bloquee la corriente, el diodo del cuerpo debe tener polarización inversa. Los circuitos que has enlazado son correctos. Cuando la fuente de alimentación está conectada correctamente, el MOSFET se mantendrá encendido y conducirá con baja resistencia.

Si el MOSFET de uno de esos circuitos se invirtiera, seguiría funcionando en la dirección de avance. Pero entonces en polaridad inversa, aunque el MOSFET estaría polarizado "off" por la tensión de puerta, el diodo de cuerpo estaría polarizado hacia delante. Así que el MOSFET conduciría a través del diodo de cuerpo y el propósito principal del circuito sería derrotado.

Answer 2

En realidad, los MOSFET conducen en ambas direcciones. En estos circuitos debe conectarse en esta dirección para que el diodo de cuerpo pueda bloquear la tensión de polaridad inversa