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Efecto de la modificación de la longitud del transistor N-mos de un inversor sobre el retardo de propagación

Digamos que queremos comprobar el tiempo que tarda nuestra fuente Vdd en cargar un condensador a través de una red inversora. cambiando la anchura del transistor P-mos hará que fluya más corriente, minimizando así el tiempo de carga. ¿qué efecto tendrá cambiar la longitud de un N-mos en el retardo de propagación? gracias,

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Tras comprobarlo un poco, llegué a la siguiente respuesta:

Aumentar la longitud del N-mos significa que la corriente tardará más tiempo en pasar por el túnel, efectivamente digamos que la corriente es menor= la resistencia del N-mos es mayor. Eso significa que la parte del P-mos que tiene una resistencia relativa más baja querrá subir el voltaje hacia ella, moviendo la gráfica del VTC un poco hacia la derecha, ya que el N-mos tendrá que invertir un voltaje mayor para pasar por encima del P-mos y empezar a bajar el voltaje. como el VTC se ha movido a la derecha, esperamos que los valores Vil,Vih aumenten, pero que los valores Voh,Vol no cambien significativamente. pasando a la fórmula del Margen de Ruido, vemos que mientras el NMh disminuye, el NMl aumenta, y el Margen de Ruido total disminuye.

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