Es posible construir una RAM a partir de flip flops y multiplexores. Estos diseños requieren mucho silicio, pero pueden ser muy rápidos. Además, estos diseños permiten intrínsecamente a una RAM cualquier número de puertos de lectura independientes de su puerto de escritura y permiten un comportamiento predecible si una posición de memoria se escribe y se lee en el mismo ciclo (la lectura está garantizada para producir datos antiguos durante la duración del ciclo).
También se podría construir una RAM utilizando un par de inversores con puertas de paso en la ruta de realimentación, de modo que mientras se escriben nuevos datos el circuito que realiza la derecha no tenga que luchar contra los transistores de realimentación de la RAM. Hacer un diseño de este tipo "correctamente" en CMOS requeriría ocho transistores por cada celda de RAM, una mejora considerable respecto al uso de un flip flop por celda. Desafortunadamente, también requeriría tener líneas de selección activa-alta y activa-baja para cada fila.
Un enfoque común para construir grandes RAM estáticas es tener un par de inversores que se retroalimenten incondicionalmente entre sí, pero que el lado del canal P sea lo suficientemente "débil" como para ser sobrealimentado por un par de transistores de canal N (uno de los cuales puede ser bastante grande) en serie con el cable del bus de columna. Esto requerirá dos cables de columna, cada uno conectado a un inversor a través de un transistor de paso de canal N, pero ambos transistores de paso pueden ser controlados por un cable de fila común. Una célula de memoria se escribe habilitándola y conectando a tierra uno de los cables de columna. El transistor que conduce ese cable tendrá que luchar inicialmente contra el transistor de canal P de la célula, pero una vez que haya sido superado, el transistor de canal P del otro lado se encenderá y el transistor de canal P contra el que estaba luchando se apagará. Por lo tanto, el estado de "contención del bus" sólo existirá durante un momento.
Por supuesto, una vez que se entra en memorias más grandes, es habitual abandonar la arquitectura de RAM estática en favor de la RAM dinámica, que no sólo reduce cada celda de memoria a un único transistor, sino que lo hace con un diseño que acaba siendo más compacto que casi cualquier otro diseño que se pudiera hacer con el mismo número de transistores.
