Cuando leo las notas de aplicación de los MOSFET, veo muchas veces el término corriente agujero/agujero. ¿Qué es exactamente y cuál es la relación entre ellos? cuando la puerta crea un canal en modo de mejora? Por otro lado, ¿qué dicen estas ecuaciones?
En los semiconductores hay dos portadores de carga: electrones y huecos. Los huecos son partículas como los electrones, pero con carga positiva (y una masa efectiva, difusividad y otras propiedades diferentes). Cualquier corriente neta a través de un semiconductor se compone de cierta cantidad de corriente de electrones y cierta cantidad de corriente de huecos. Sus ecuaciones muestran la densidad de corriente de deriva (corriente debida al campo eléctrico) y la densidad de corriente de difusión (corriente debida a la variación de la concentración) para electrones y huecos.
Su densidad total de corriente de electrones puede descomponerse como:
\$J_n(Drift)=-qn\mu_n\nabla\phi\$
\$J_n(Diffusion)=qD_n\nabla(n)\$
Dónde \$-q\$ es la carga de un electrón, \$n\$ es la concentración de electrones, \$\mu_n\$ es la movilidad de los electrones, \$\nabla\phi\$ es el gradiente de campo eléctrico, \$D_n\$ es la difusividad de los electrones, y \$\nabla(n)\$ es el gradiente de la concentración de electrones. La corriente de huecos utiliza valores equivalentes.
Cuando hay partículas cargadas en potenciales periódicos (como es el caso de un cristal semiconductor), ocurren cosas raras que dan lugar a estos "agujeros". No te preocupes porque no sean "reales". Son suficientemente reales para el modelo.
I-Ciencias es una comunidad de estudiantes y amantes de la ciencia en la que puedes resolver tus problemas y dudas.
Puedes consultar las preguntas de otros usuarios, hacer tus propias preguntas o resolver las de los demás.
