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¿Cómo modelar la fuga de carga en un MOSFET de canal N?

Cuando se aplica una tensión de onda cuadrada a la puerta del MOSFET, parece haber una fuga de tensión entre la puerta y el drenaje. ¿Puedo modelar esta fuga de tensión utilizando resistencias y condensadores? Además, ¿existe alguna ecuación que describa esta fuga de tensión?

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Biman Biswas Puntos 19

Existe un fonema en el que alguna porción de reloj (onda cuadrada) penetra desde la Puerta al Drenaje, que se denomina Clock Feed Through. Como se muestra en la figura siguiente:

schematic

simular este circuito - Esquema creado con CircuitLab

Se puede simplificar al circuito siguiente:

schematic

simular este circuito

Esto sólo ocurre en los flancos o transiciones de reloj, ya que el acoplamiento Puerta-Drenaje se realiza a través de una impedancia capacitiva. Estas impedancias capacitivas de acoplamiento son en realidad condensadores parásitos superpuestos entre Puerta y Drenador y Puerta y Fuente de los transistores MOS y se deben a imperfecciones del proceso. La cantidad de tensión inyectada desde el reloj ( o como usted menciona onda cuadrada) depende de la tensión del reloj, impedancia de carga y condensadores parásitos como la siguiente ecuación describe: $$V_{er}=V_{clk}WC_{par}/({WC_{par}+C_{load}})$$ para más información echa un vistazo a "Analog CMOS Circuits Design" de Behzad Razavi, o a este enlace de su página web en UCLA: http://www.seas.ucla.edu/brweb/teaching/AIC_Ch12.pdf

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