Cuál es la corriente de base de un amplificador de clase ab con configuración de par darlington

Question

Estoy intentando diseñar un amplificador de 3 etapas utilizando transistores, 2 etapas de preamplificación con configuración de clase A y una etapa de salida de clase AB. He construido el amplificador de clase ab con una configuración darlington y 4 diodos para la tensión de polarización y tiene una ganancia de alrededor de 0,8v, pero ahora estoy tratando de calcular la impeadancia de entrada del modelo de CA para que pueda diseñar la segunda etapa, pero estoy teniendo algunos problemas con la búsqueda de la impedancia de entrada, ya que no sé cómo calcular la transconductancia con una configuración darlington.

¿Podéis darme alguna pista sobre qué hacer? Gracias

simular este circuito - Esquema creado con CircuitLab

Answer 1

En un bipolar simple, si se mueve la base en 18milliVolts se producirá una variación de 2:1 en la corriente de emisor (y colector). La GM (transconductancia) es Iemitter(amperios)/0,026voltios. A 26milliAmps, la GM es UNO (amperios/voltios).

En el caso de un Darlington, la GM se verá afectada por la resistencia que desvía la base-emisor del dispositivo de alta corriente. Y la frecuencia (ya que la corriente de carga transitoria influye).

Prueba con una resistencia de 1Kohm en paralelo a la unión EB de Q4 (dispositivo de alta corriente), y lo mismo para el dispositivo PNP. Para más potencia, considere 100 ohmios, o lo que sea que mantenga el dispositivo de baja corriente en operación de "corriente constante relativa".

Con una "corriente constante relativa", los dispositivos de baja corriente no tienen ningún efecto sobre el GM. IMHO

Answer 2

(A) En primer lugar, aquí hay alguna información sobre el par Darlington solamente (parámetros h, funcionamiento de pequeña señal) - que consiste en dos transistores idénticos:

1) Resistencia de entrada: rin=h11,1 + (1+h21,1)*h11,2

2) Ganancia de corriente: h21=h21,1*h21,2

3) Transconductancia: gm=0,5*gm,2

Comentario: Por supuesto, los parámetros h11 y gm dependen de las corrientes continuas de reposo a través de ambos transistores. Recuerda: h11=h21/gm y gm=Ic/Vt (Vt: tensión de temperatura).

(B) La resistencia total de entrada de pequeña señal debe tener en cuenta las resistencias R1 y R2, así como las resistencias dinámicas (diferenciales) de los 4 diodos (que vienen determinadas por la corriente continua que atraviesa la cadena de diodos). Además, la resistencia de emisor R3 proporciona una retroalimentación negativa y, por lo tanto, aumenta la resistencia de entrada total de la configuración Darlinton.