Estoy buscando un diodo bidireccional muy pequeño y para este circuito de RF, se recomienda un ESD con capacitancia parásita << 1pF.
Los diodos que he visto para esta aplicación son MUY pequeños.
Para responder a las preguntas en una especie de orden inverso
La capacitancia parásita depende principalmente de las uniones de los semiconductores en el dispositivo, y tiene poco que ver con el paquete. Es proporcional a la relación área/espacio de las uniones. El área depende del manejo de la corriente que el fabricante quiere conseguir, y la separación, de la tensión (más es más en ambos casos).
Por lo tanto, el manejo de la potencia del dispositivo, y el tamaño del silicio, que son ambos proporcionales al producto de aquellos, sólo están débilmente relacionados con la capacitancia.
En la mayoría de los dispositivos, el envase es mucho más grande que la mota de silicio que hace el trabajo en su interior, incluso en dispositivos que parecen muy pequeños.
Lo que gobierna la capacitancia con más fuerza es la impedancia del sistema en el que el dispositivo está destinado a trabajar. Una alta impedancia (alto voltaje, baja corriente) significa una gran separación, una pequeña área de unión, por lo que la capacitancia es baja. Una baja impedancia significa una alta capacitancia.
¿Por qué el aparato es pequeño? Varios factores, sólo algunos relacionados con el rendimiento.
a) Un dispositivo pequeño tendrá una inductancia menor. Esta inductancia se debe casi exclusivamente a la longitud de los enlaces en el paquete, y tiene poco que ver con el silicio. Esto significa que es capaz de trabajar en sistemas de alta frecuencia, donde también es bueno tener una baja capacitancia.
b) Es más barato, un paquete más pequeño significa menos cosas que el fabricante debe comprar
c) Los sistemas terminados son cada vez más pequeños, no hay espacio para diseñar en un paquete 1000 veces el tamaño del silicio, cuando 30 veces será suficiente.
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