Adaptación de un atenuador de HF a una mayor potencia

Question

Quiero hacer un amplificador de HF de 25W que pueda manejar una entrada de hasta 8W. He encontrado un esquema de ON6MU que puede manejar hasta 2,5W de entrada. Hay un atenuador en la entrada que copio aquí. R3-4 es de 1W, R2 y R5 son ambos de 0,5W.

¿Qué habría que hacer para cambiar este circuito y permitir una entrada de hasta 8W? ¿Bastaría con tomar un R3-4 que pueda manejar 5W y R2 y R5 que puedan manejar 2W, o tendría que cambiar también los valores?

¿Cómo puedo calcular esto?

El atenuador debería funcionar para las bandas de 17m - 80m.

simular este circuito - Esquema creado con CircuitLab

El esquema completo, a modo de referencia:

Answer 1

Necesitarás 5 dB de caída de ganancia total, por lo que tus opciones aquí parecen ser las siguientes:

1. OPCIÓN MÁS SENCILLA (y directa)): Utilizar un 50 externo \$\Omega\$ Atenuador de 5 dB capaz de manejar una potencia de entrada de 8W. Diseña y construye desde cero utilizando una de las muchas calculadoras online disponibles.

2. OPCIÓN SIMPLE (pero no directa): Aumente la atenuación de entrada en 5 dB. Esto significa cambiar los valores de \$R_2\$ , \$R_3\$ , \$R_4\$ y \$R_5\$ y también significa cambiar la potencia de las resistencias porque disiparán más potencia. El atenuador de entrada también se encarga de la adaptación de la impedancia, por lo que debes recalcular estos valores teniendo en cuenta \$R_8\$ y la impedancia de entrada de la puerta del MOSFET (según la hoja de datos: 180 pF a 1 MHz).

3. OPCIÓN COMPLEJA: Reducir la ganancia del transistor en 5 dB (esta es también una opción más eficiente en términos de energía). Esto se consigue cambiando el ajuste del potenciómetro P1 para que la tensión de la puerta del MOSFET sea menor y la corriente de polarización se reduzca. Puedes ajustar la ganancia a un valor más bajo durante el proceso de sintonización. En este caso no tienes que cambiar los valores de \$R_2\$ , \$R_3\$ , \$R_4\$ y \$R_5\$ pero debe cambiar su potencia junto con la potencia de \$R_8\$ y la calificación actual de \$L_1\$ . También debe comprobar que la tensión de la fuente de la puerta no supera la tensión nominal de +/20V del MOSFET. Con una entrada de 8W, esto es una posibilidad muy real y podría significar que esta opción no es factible.

4. OPCIÓN MÁS COMPLEJA (pero posiblemente óptima): Una combinación de las opciones 2 y 3. Dividir la caída de ganancia de 5 dB entre el atenuador de entrada y la propia ganancia del transistor.

A modo de referencia: Ficha técnica del IRF510 .