Tienes un problema de lujo: hay miles de FETs adecuados para tu trabajo.
1) el nivel lógico. Tienes 5 V, y probablemente menos de 200 mV cuando está apagado. Lo que necesitas es \$V_{GS(th)}\$ es la tensión umbral de la puerta, a la que el FET comienza a conducir. Se da para una corriente específica, que también hay que vigilar, porque puede ser diferente para diferentes FETs. Para ti puede ser útil un máximo de 3 V a 250 µA, como para el FDC855N . A 200 mV (o menos) tendrás una corriente de fuga mucho menor que esa.
2) Máximo \$I_D\$ continua. 6.1 A. OK.
3) el \$I_D / V_{DS}\$ gráfico:
Este es de nuevo para el FDC855N. Muestra la corriente que el FET absorberá a un determinado voltaje de puerta. Puedes ver que es de 8 A para un voltaje de puerta de 3,5 V, así que está bien para tu aplicación.
4) \$R_{DS(ON)}\$ . La resistencia de encendido determina la disipación de energía. Para el FDC855N es de 36 mΩ como máximo a 4,5 V de tensión de puerta, a 5 V será un poco menos. A 500 mA eso provocará una disipación de 9 mW. Eso es más que suficiente. Puedes encontrar FETs con mejores cifras, pero realmente no hay necesidad de pagar el precio extra por ellos.
5) \$V_{DS}\$ . La tensión máxima de drenaje-fuente. 30 V para el FDC855N, por lo que para su aplicación de 12 V OK.
6) paquete. Es posible que desee un encapsulado PTH o SMT. El FDC885N viene en un encapsulado SuperSOT-6 muy pequeño, lo que está bien, dada la baja disipación de energía.
Así que el FDC855N será muy bueno. Si quieres puedes echar un vistazo a la oferta de Digikey. Tienen excelentes herramientas de selección, y ahora ya sabes los parámetros que debes tener en cuenta.