¿Qué modificadores de diodos se utilizan en la práctica para modelar LEDs con SPICE (Berkeley v.3f5)? Estos están disponibles para mí:
# Name Parameter Units Default Example Area
1 IS Saturation current A 1e-14 1e-14 *
2 RS Ohmic resistance 0 10 *
3 N Emission coefficient - 1 1.0
4 TT Transit-time s 0 0.1ns
5 CJO Zero-bias junction capacitance F 0 2pF *
6 VJ Junction potential V 1 0.6
7 M Grading coefficient - 0.5 0.5
8 EG Activation energy eV 1.11 1.11 Si
0.69 Sbd
0.67 Ge
9 XTI Saturation-current temperature exponent 3.0 3.0 jn
2.0 Sbd
10 KF Flicker noise coefficient - 0
11 AF Flicker noise exponent - 1
12 FC Coeff. for for.-bias dep. cap. formula 0.5
13 BV Reverse breakdown voltage V 40.0
14 IBV Current at breakdown voltage A 1.0e-3
15 TNOM Parameter measurement temp. °C 27 50
3.4.2 Modelo de diodo (D)
Las características de corriente continua del diodo están determinadas por los parámetros IS y N. Se incluye una resistencia óhmica, RS. Los efectos de almacenamiento de carga se modelan mediante un tiempo de tránsito, TT, y una capacitancia no lineal de la capa de agotamiento que se determina mediante los parámetros CJO, VJ y M. La dependencia de la temperatura de la corriente de saturación se define mediante los parámetros EG, la energía y XTI, el exponente de temperatura de la corriente de saturación. La temperatura nominal a la que se miden estos parámetros es TNOM, que por defecto es el valor del circuito especificado en la línea de control .OPTIONS. La ruptura inversa se modela mediante un aumento exponencial de la corriente inversa del diodo y está determinada por los parámetros BV e IBV (ambos son números positivos).
Por ejemplo, usando este rojo básico y barato:
No me importan mucho las características de alta frecuencia, sólo me gustaría poder igualar su curva IV dentro de sus especificaciones de funcionamiento (fuga de -10uA/-5V a +100mA/+2,2 'ish V hacia adelante):