Estoy interconectando una tarjeta SD con el Z80, uno de los cuales utiliza la lógica de 5 V (Z80) y el otro utiliza la lógica de 3,3 V (SD). Creo que el cambio de nivel de 3,3 V a 5 V será resuelto por el 74HC595 que estoy usando para la conversión de la entrada serie a la paralela (considera que 3,3 V es un nivel lógico alto y enviará la lógica de 5 V al Z80). Sin embargo, el 74HC165 que estoy utilizando para la salida de datos en serie (MOSI) desde el Z80 a la tarjeta SD tendrá una salida lógica de 5 V que podría freír la tarjeta SD.
No tengo ningún circuito integrado de cambio de nivel por ahí y me gustaría evitar tener que esperar a que me llegue uno por correo. He leído que puedo usar un circuito divisor de voltaje en la línea MOSI, pero he leído que tiende a causar problemas a altas frecuencias de reloj. ¿Funcionaría el siguiente circuito utilizando dos transistores NPN (conmutando la tensión de entrada a 5 V y la de salida a 3,3 V)?
¿O sería mejor sustituir el transistor de la izquierda por un inversor que se alimente de la base del transistor de la derecha, manteniendo el emisor conectado a tierra, y teniendo el colector a 3,3 V? La señal MOSI de 5 V del 74HC165 se alimentaría en la entrada del inversor, y el pin MOSI de 3,3 V de la tarjeta SD se conectaría al colector del transistor. Así que si no me equivoco, si la salida es un nivel lógico bajo, el inversor alimentará la base del transistor, haciendo que la salida a la tarjeta SD sea también un nivel lógico bajo. Si la salida es un nivel lógico alto de 5 V, el inversor no alimentará la base del transistor, haciendo que la salida a la tarjeta SD sea un nivel lógico alto de 3,3 V.
¿O esto seguiría siendo burdo? Mientras haya una transmisión de datos precisa a la tensión correcta, no me preocupa. Pero, por favor, hazme saber lo que piensas. Si esto va a conducir a una transmisión de datos inexacta o inconsistente, prefiero esperar al CI correcto.
