Quiero añadir una protección contra la polaridad inversa a un dispositivo que se alimenta de una sola pila AA, por lo que su tensión podría bajar a 0,8 V. El diodo de avance es una caída demasiado grande. Ya he pensado en añadir un P-MOSFET, pero lo que me molesta es el voltaje delantero del diodo. Suele ser de alrededor de 1 V. Lo que significa es que si la batería se inserta de la manera correcta, el MOSFET no se abrirá porque Vgs no es lo suficientemente alto. Según tengo entendido, si después del voltaje del diodo es lo suficientemente alto, el MOSFET se abrirá y el diodo ya no importará. ¿Estoy equivocado o debería considerar otras formas de implementar la protección de polaridad inversa?
Para que quede claro de qué circuito estoy hablando:
Estaba considerando el Si2329DS que tiene un Vgs máximo de 0,8 V pero el voltaje del diodo lo deja inservible.
editar: Pues he estado investigando y he encontrado unos controladores de diodos ideales que me permiten usar NMOS. Voy a decir si encuentro algo adecuado