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Comprender las características de salida del MOSFET en una escala logarítmica

Soy un estudiante de segundo año de Ingeniería Eléctrica, y estoy trabajando en la fabricación de un robot autónomo en mis vacaciones de verano, actualmente.

Ahora mismo estoy diseñando un puente en H utilizando componentes discretos para los motores de accionamiento de mis robots.

Esto es lo que ya he hecho.

Después de seleccionar el encapsulado del MOSFET, y de encontrar la cantidad de potencia que puede disipar, dadas las temperaturas de funcionamiento, pude calcular la Rds(on) máxima permitida del MOSFET a seleccionar. A continuación, pasé a seleccionar el MOSFET adecuado, es decir, el IRF1010Z.

Ahora, cuando fui a mirar las características de salida de este MOSFET para encontrar la tensión de puerta adecuada para aplicar, para que Vds sea baja y que el MOSFET sea capaz de conducir un máximo de 5A. Sin embargo, las características de salida del dispositivo se dan en una escala logarítmica que parece que no entiendo. El gráfico no existe para valores bajos de corriente de (0-5A), que es el rango en el que quiero trabajar. Así que por favor ayúdame a entender las características de salida de este dispositivo MOSFET. Aquí están las características, enter image description here

Quizás, un Vgs de 5-6 V estará bien, pero lo que me confunde es la inexistencia de la gráfica para valores bajos de corriente.

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ianb Puntos 659

Puedes proyectar las pendientes hacia atrás para obtener una aproximación razonable. O puedes suponer que la corriente es diez veces mayor a 50 A. Por ejemplo con un voltaje de puerta de 6V obtendrás esto: -

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La caída de voltios será de 0,43 V a 50 A, por lo que se supone una línea recta y a 5 A se verá una caída de voltios de unos 43 mV = 215 mW de disipación.

Los MOSFETs como este tienen un valor Rds(on) dictado por Vgs en la "región lineal" y es una aproximación bastante buena asumir que Rds también es lineal en esta región.

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