¿Cuál es el efecto de radiación Gamma de esterilización que se han incrustado en dispositivos de electrónica de

Question

Acabamos de recibir de nuevo 3 piezas de equipos que pueden haber sido inadvertidamente a través de una radiación Gamma proceso de esterilización. El equipo es de bajo consumo incrustado dispositivo que consta de un microcontrolador de 16 bits con periféricos de memoria FLASH y SRAM respaldado por una batería de litio. El equipo parece completamente muerto.

Cuáles son los posibles efectos de la radiación Gamma tiene en dispositivos embebidos? La memoria FLASH de la corrupción? Circuito de la degradación? El fallo de un componente?

Más info:

El equipo es de tres nefelómetro de instrumentos que nos hacen, que uso bastante caro CUNAS registrador como el cerebro. Los instrumentos fueron enviados de nuevo a nosotros desde el extranjero, junto con algunas muestras de sedimentos. Aduana / cuarentena decidieron que querían para la esterilización de las muestras de sedimento, y creo que se debe haber aplicado los instrumentos a través de así.

Answer 1

El pronóstico no es probablemente demasiado flash [gemido].

Dependiendo de la energía de la radiación, el dispositivo de la muerte de los rangos de posibles esencialmente cierto.

Potencialmente puede esperar que todos los efectos que se describe.
Aunque, al parecer, todavía operativo puede obtener un aumento en las corrientes de fuga y 'infelicidad'.

¿Cuál fue la fuente de rayos gamma? ¿qué energía?, ¿qué distancia? Por qué?

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El Daño de la radiación en la Electrónica de los Dispositivos de Memoria PDF
HTML
Dice:

... Resultados obtenidos muestran que la radiación gamma causas de la disminución de la tensión de umbral, siendo proporcional a la dosis absorbida de radiación.

EPROM Y EEPROM: ... la radiación Gamma causas de la generación de pares electrón-hueco en SiO2 aislante de la puerta. El número de pares generados es directamente proporcional a la energía depositada en el material, dependiendo del total de la dosis absorbida de radiación [8, 14]. ...

Conclusión

... Basado en el análisis de los datos recogidos de realizar los experimentos, la exposición de los semiconductores recuerdos a la radiación gamma produce tres efectos: agujeros de ser capturado en sitios de captura de un óxido, la inyección de agujeros de óxido en FG, y la emisión de electrones a través de FG-óxido de interfaz.

La generación de pares electrón-hueco conduce a la captura de positivo cargado de portadores (huecos) en el aislante, causando un cambio negativo en sus características. Es decir, positivo cargado de transportistas inducida por la radiación gamma, que requieren el aumento de la negativa de la tensión de puerta para compensar la carga positiva. Esto significa que la radiación gamma causas de la disminución de la tensión de umbral, siendo proporcional a la dosis absorbida de radiación.

NASA - Fichas en el espacio