En teoría, debería ser posible lograr una alta eficiencia con las piezas adecuadas. He reproducido su diseño en LTspice utilizando componentes "reales". El rendimiento calculado fue del 81,2%. Este es el circuito:-
Elegí un STP11NM80 simplemente porque era el NMOSFET de mayor voltaje en la base de datos de LTspice. Sin embargo, este FET tiene un R DSON y la carga total de la Puerta que el IRFPG50. La importancia de esto se hace evidente cuando se observa la forma de onda de la corriente de drenaje:-
Cuando el FET se enciende, pasa una corriente igual a la corriente de carga (media), que en este caso es de 5 A. Con el R DSON de menos de 0,4 Ω las pérdidas de conducción no son malas. El R DSON puede ser de hasta 2,0 Ω, por lo que su pérdida de conducción será mucho mayor. Sin embargo, con un ciclo de trabajo de algo menos del 2%, la pérdida de conducción media sigue siendo muy baja (el diodo conduce la corriente de salida durante el otro 98% del tiempo y el inductor el 100% del tiempo, por lo que sus pérdidas de conducción son mucho más importantes).
Más preocupante es el enorme pico de corriente que se ve al encender, causado principalmente por la recuperación inversa del diodo flyback cuando el voltaje que lo atraviesa pasa de ~+1,5 V a -600 V. El pico de 38 A está justo dentro de la capacidad de corriente máxima del STP11NM80, pero muy por encima de la capacidad de 25 A del IRFPG50.
Las pérdidas de potencia de los componentes individuales en mi simulación fueron
- FET: 1,8 W
- diodo: 7.2 W
- inductor: 2,7 W
- condensador: < 0.01 W
Así que en este caso vemos que el diodo es el mayor contribuyente de pérdidas, seguido por el inductor y luego el FET. Con diferentes elecciones de componentes, la clasificación podría cambiar y la pérdida total podría ser mayor o menor.
Hasta aquí la simulación. En el mundo real tienes más problemas. Tienes que controlar el FET de alguna manera, lo que requiere otra fuente de alimentación sólo para el controlador - que tiene que aumentar la tensión de la puerta por encima de 600 V para accionar el NMOSFET. Si por alguna razón la regulación de voltaje falla, la salida podría subir a 600 V sin límite de corriente.
En un circuito práctico, la velocidad de conmutación del FET estará limitada por el controlador, y quizás también para reducir la EMI. Esto aumentará la pérdida de potencia del FET durante la conmutación cuando tenga tanto un alto voltaje a través de él como una alta corriente pasando por él.
Estos problemas pueden solucionarse utilizando un transformador, que mejora la eficiencia al funcionar a un ciclo de trabajo más alto, puede tener un devanado auxiliar de baja tensión para alimentar el controlador y proporciona aislamiento galvánico. Es posible que prefieras un inductor para ahorrar espacio, pero un inductor de 500 mH para 2 A tampoco es pequeño.
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Un convertidor de dos etapas sería probablemente más fácil y más eficiente, por lo menos. Los convertidores Buck tienden a ser más eficientes cuando la salida está más cerca de la entrada, aunque obviamente no en el mismo grado que los reguladores lineales. También tienden a ser más eficientes con corrientes de salida más altas, hasta cierto punto. Sustituir el diodo por otro MOSFET es, en efecto, una buena forma de aumentar la eficiencia, pero tienes que conducir el FET opuesto al otro o no hace nada útil.
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¿Qué quiere decir con "debo usar NPN o PNP"? No deberías usar ninguno de los dos: un MOSFET de canal N es generalmente la mejor opción para el trabajo.
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Buck no es adecuado para una relación Vin/Vot tan alta. Es más eficiente utilizar uno de los convertidores de transformador (flyback). Con el buck es muy difícil regular un servicio tan bajo, usted tratará con un servicio de alrededor del 1,6% e incluso el 1% de su cambio hará un gran cambio de Vout. También hay que tener en cuenta las pérdidas de conmutación, que no son insignificantes en comparación con la potencia de salida que se obtiene.
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¿cuál es la razón de la baja eficiencia? ¿A dónde va todo? ¿A través del mosfet? ¿Cómo podría aumentar su eficiencia? este El convertidor CC-CC parece ser bastante pequeño, por lo que no hay transformador en él. Pero de alguna manera se las arregla para alcanzar hasta un 97,7% de eficiencia. ¿Cómo podría hacerlo? ¿Existen algunos secretos de los convertidores buck?
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@RiDi "este" convertidor tiene prácticamente un transformador en su interior.
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¿entonces básicamente cualquier convertidor dc-dc usará un transformador ac? ¿entonces debería alimentar pwm alterado 600V dc al transformador y luego suavizarlo a través de un condensador?
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@RiDi no "cualquiera". Los convertidores CC-CC sin separación galvánica en, por ejemplo, relaciones de tensión de hasta 10:1 no necesitan utilizar un transformador. Un cargador de coche para teléfonos móviles (Vin 10..32V y Vout 5..20V, véase la especificación USB PD) es casi siempre de topología buck o buck/boost sin transformador.
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Una pregunta para usted: ¿Has intentado modelar esto con GaNFets? Lo normal es que estés en el rango de 2,5ns para la subida y 1,8ns para la bajada. Sospecho que, basándome en lo que estoy viendo, se vería en algún lugar en el rango de 92-95%. Usted está usando 2 de ellos, por lo que está hablando de $ 30 de piezas, pero están disponibles y se puede obtener fácilmente un controlador de medio puente para ellos por unos pocos dólares también. El ESP32 es capaz de conmutar en PWM a este nivel. (y con GAN dependiendo de la tolerancia puede conducir directamente a 5V ... debe ser 6, pero 5V conducirá con un poco más de resistencia eliminando así el conductor y los retrasos)