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¿Cuál es el factor de idealidad de un diodo típico?

Algunos antecedentes, para quien no esté familiarizado: La ecuación del diodo Shockley es

\$I_D=I_S·(e^{\frac{V_D}{n·V_T}}-1)\$

con la cantidad \$n\$ llamado el factor de idealidad un número entre 1 y 2. Los diodos ideales tienen un factor de idealidad de 1, mientras que los diodos reales no lo tienen. (Y, a mi entender, el factor de idealidad de los diodos reales puede depender en gran medida de la temperatura y de la corriente del diodo).

Mi pregunta es la siguiente: ¿Cuál es el factor de idealidad típico de los diodos pn disponibles en el mercado a temperatura ambiente? ¿En qué rango se puede esperar que esté el factor de idealidad? ¿Será diferente para los diodos Schottky?

La impresión que tengo de mi clase de dispositivos semiconductores es que está cerca de 2 para corrientes bajas, se acerca a 1 para corrientes moderadas y vuelve a 2 a corrientes muy altas; ¿es esto correcto? ¿Hay números más precisos disponibles en algún lugar?

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Depende de la eficacia del diodo a la fotoestimulación y a la corriente oscura, de la temperatura..." algunos tipos de células solares presentan un factor de idealidad superior a 2 e incluso puede llegar a 5. " researchgate.net/publication/

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Todos los modelos SPICE tienen esto, y varían bastante dependiendo del dispositivo; esa es la razón por la que un transistor conectado a un diodo es el más comúnmente utilizado en los sensores de temperatura de semiconductores (porque la idealidad del diodo base-emisor es bastante cercana a 1 - el 2N3904 es un favorito aquí).

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@TonyStewartSunnyskyguyEE75 Para complementar tu afirmación, recientemente he medido que un LED ordinario UV-A de 405nm tiene un factor de idealidad de aproximadamente 6,1 en el régimen de 1A-10mA, y aproximadamente el doble en el régimen de nA.

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Kevin Puntos 21

Actualmente estoy cursando una clase de semiconductores y hace poco hicimos un experimento para medir el factor de idealidad de dos diodos diferentes, uno de germanio y otro de composición de silicio. El experimento determinó que el diodo de silicio tiene un factor de idealidad de 1 y el de germanio de 1,4. Según mi profesor, el factor de idealidad es indicativo del tipo de recombinación de portadores de carga que se produce en el interior del diodo, según el siguiente gráfico.

This is the meaning of different ideality factors

Para calcular n, medí y grafiqué las características I-V (siendo V la tensión a través del diodo, no la tensión aplicada) de los diodos y hallé la pendiente como tal: The IV characteristics of a silicon diode in a logarithmic scale

Entonces, conociendo esta relación donde e es la carga de un electrón, T es la temperatura y K es la constante de Boltzman e I naught es la corriente de saturación inversa:

relationship between IV

Me parece que la pendiente de la gráfica es:

The slope of the previous graph

Resolviendo para n se obtiene un 1.

Creo que eso responde a 3 de 5 de sus preguntas.

Espero que todo esto haya servido de ayuda.

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Imagino que el tipo de recombinación de portadores de carga que se produce depende también de cosas como la temperatura y la densidad de corriente, ¿no?

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\$y = mx + c\ \$ Así que \$y = ln(I)\ \$ , \$m = \frac{1}{n} \frac{e}{kT}\ \$ , \$x = V\ \$ y \$c = ln(I_0)\$ .

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Así pues, tras una regresión lineal simple, dejemos que \$r\$ sea el coeficiente de correlación muestral. Será igual a \$m\$ que es la pendiente de la gráfica. Fácil de automatizar.

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Paxsali Puntos 46

https://www.youtube.com/watch?v=BC1E13CKf8g

Puedes ver este vídeo. Un diodo ideal tiene un factor de idealidad de 0. En polarización hacia delante, la corriente --> infinito. En polarización inversa, la corriente --> 0. Este diodo no existe en la vida real. Y debido a la propiedad de recombinación del Si y el Ge, todos los diodos fabricados con estos dos materiales tienen el factor de idealidad entre 1 y 2. El diodo que tiene un factor de idealidad <1 tampoco existe.

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