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¿Por qué el diagrama de bandas de energía se ve afectado por el dopaje no uniforme?

En Física y dispositivos semiconductores de Donald A. Naemen (pág. 176) aparece la siguiente figura:

Energy-band diagram for nonuniform doping

La concentración del donante es una función decreciente de x.

Mi pregunta por qué las energías de la banda de conducción y de valencia ( $E_c$ y $E_v$ ) en función de la concentración? ¿Por qué el nivel de Fermi es el único valor de la figura que no se ve afectado por la distribución no uniforme de los donantes?

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Serv Puntos 128

Debido a la diferencia de concentración hay un flujo de portadores de carga móviles desde la región de mayor concentración a la de menor concentración, lo que da lugar a una corriente de difusión en el s/c. Por lo tanto, se genera un potencial que energiza a los portadores de carga de acuerdo con Energía=-q.V (q=e) Debido a esta energía vemos que los Ec Ei y Ev se doblan Ahora llegando al nivel de energía de Fermi : como el semiconductor está en equilibrio la corriente neta es cero por lo tanto no hay flujo de electrones en el equilibrio y el nivel de energía de Fermi se mantiene plano. En conclusión, la curva Ec/Ev/Ei se debe a la difusión debido a la diferencia de concentración mientras que el nivel de Fermi permanece plano debido a la condición de equilibrio.

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