Una capa de pasivación es el último paso, excluyendo la atmósfera. Esta capa se forma exponiendo la oblea al oxígeno a alta temperatura (baja tasa de crecimiento) o al vapor (alta tasa de crecimiento). El resultado es el dióxido de silicio, de 1.000s de Angstroms de espesor.
Los bordes del circuito integrado suelen estar protegidos contra la intrusión iónica, con un "anillo de sellado" donde los metales y los implantes se estrechan hasta el sustrato de silicio puro. Pero hay que tener cuidado; el anillo de sellado es una vía conductora a lo largo del borde del CI, lo que permite interferencia que se transmite a lo largo del borde del CI.
Para que los sistemas en chip tengan éxito, es necesario evaluar la ruptura del sellado en una fase temprana de la creación de prototipos de silicio, de modo que se conozca la degradación del aislamiento, el daño al piso de ruido, causado por el ruido determinista que se conduce abiertamente a las regiones sensibles del CI. Si el anillo de sellado inyecta 2milliVoltios de basura, en cada flanco de reloj, ¿se puede esperar conseguir un rendimiento de 100 nanoVoltios? Ah, claro, el promedio supera todos los males.
EDITAR La supresión de algunos circuitos integrados de precisión alterará las tensiones mecánicas impuestas al silicio y a los numerosos transistores, resistencias y condensadores que lo componen; los cambios en las tensiones alteran las diminutas distorsiones del silicio a lo largo de los ejes del cristal y alteran las respuestas piezoeléctricas, lo que altera permanentemente las fuentes de error eléctrico subyacentes en estructuras que, de otro modo, estarían adaptadas. Para evitar este error, algunos fabricantes utilizan características mejoradas (transistores adicionales, capas adicionales de dopaje, etc.) para añadir comportamientos de ajuste durante el uso; en esto, en cada evento de encendido el circuito integrado pasa automáticamente por una secuencia de calibración.