Caída de tensión anormal a través de un mosfet en multisim

Question

He estado jugando con multisim, y he añadido un fet personalizado de infineon como ejemplo y me di cuenta de algo un poco fuera.

cuando el Vds en mi sim es superior a 12,5, parece que la caída de voltaje a través del dispositivo como que va wacky donde se sienta en 10,6.

Corrígeme si me equivoco, pero yo habría esperado algo drásticamente menor con un RdsMax de 1,5mOlms

¿estoy en lo cierto al suponer que estos componentes son válidos para un rango determinado? y si es así, ¿es una práctica estándar?

Answer 1

Tienes una resistencia de 16 ohmios en serie con la fuente y tan pronto como el MOSFET empieza a conducir esa resistencia desarrolla una caída de voltios que degrada la tensión efectiva aplicada entre la puerta y la fuente y lleva a una situación en la que el MOSFET ya no funciona como un interruptor sino linealmente. Es lo que se llama degradación en la fuente.

Corrígeme si me equivoco, pero yo habría esperado algo drásticamente menos con un RdsMax de 1.5mOlms

La resistencia de encendido del MOSFET ya no es relevante con un circuito que produce degradación de la fuente. Si quieres conmutar la alimentación completa de 50 voltios a través de la resistencia de 16 ohmios, tienes que conectar la fuente a 0 voltios y poner la carga en serie con el drenaje.