Esta es la estructura del controlador de puerta FAN3100 IC:
(tomado de su hoja de datos )
Como puede ver, hay dos interruptores de salida: CMOS y BJT.
¿Por qué los ponen a ambos?
Respuestas
¿Demasiados anuncios?
El párrafo 2 de la descripción dice:
FAN3100 controladores de incorporar MillerDriveTM arquitectura para el final de la etapa de salida. Este bipolar-MOSFET combinación proporciona un alto pico de corriente durante el Miller fase de meseta de la MOSFET de encendido / apagado proceso para minimizar la conmutación de la pérdida, mientras que la prestación del carril-a-carril de oscilación de voltaje y corriente inversa de la capacidad.
En la parte inferior de la página 14 en la sección *MillerDrive Puerta de la Unidad de Tecnología" va a explicar:
El propósito de la MillerDrive arquitectura es acelerar la velocidad de conmutación, proporcionando la más alta corriente durante el Miller región de la meseta cuando la puerta de drenaje de la capacitancia de los MOSFET se está cargando o dischared como parte de la de encendido / apagado precede. Para las aplicaciones que tienen cero el voltaje de conmutación durante el MOSFET de encendido o apagado intervalo de tiempo que el controlador proporciona un alto pico de corriente de conmutación rápida aunque el Miller de la meseta no está presente. Esta situación ocurre a menudo en el rectificador síncrono aplicaciones ebido a que el cuerpo del diodo es generalmente llevando a cabo antes de que el MOSFET está encendido.
La respuesta a "¿Quién me puede decir acerca de Miller Meseta?" lo explica así:
Al mirar la hoja de datos para un MOSFET, en la puerta de carga de la característica que usted va a ver un piso, porción horizontal. Que es el llamado Miller meseta. Cuando el dispositivo cambia, el voltaje de la puerta es en realidad sujeta a la meseta de voltaje y permanece allí hasta que la carga suficiente se ha añadido/ quitado para que el dispositivo cambie. Es útil en la estimación de las necesidades de conducción, porque indica el voltaje de la meseta y el cargo requerido para encender el dispositivo. Por lo tanto, se puede calcular la actual puerta de la unidad de resistencia, para un determinado tiempo de conmutación.
Los BJTs son capaces de obtener la salida en movimiento, mientras que los Transistores están aumentando. El MOSFET puede proporcionar el riel a riel oscilación de voltaje.
FakeMoustache
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El CMOS y BJT etapas de salida se combinan de una etapa, el fabricante llama a esto un "MillerDrive(tm)".
Por qué hacen esto se explica en la hoja de datos:
Mi conjetura es que quieren lograr una cierta salida (en coche) de rendimiento que no puede ser lograda mediante la utilización de transistores CMOS o sólo el uso de la NPNs con el proceso de fabricación que se utiliza para este chip.
El CMOS parte ayuda a tirar de la salida a GND y VDD, el NPNs no lo puede hacer tan bien como siempre habrá un \$V_{CE,sat}\$ en la MASA de los lados y una \$V_{BE}\$ en VDD lado.
El NPNs es muy probable capaces de entregar más actual y va a cambiar más rápido. Esto podría ser una consecuencia del proceso de fabricación que están usando, como es posible que en un proceso diferente, los Transistores son mucho mejores que los de rendimiento similar podría lograrse utilizando CMOS solamente. Ese proceso podría ser más caro.
chharvey
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Observe cómo el NPN superior solo puede hacer que la salida alcance VDD-0.7 V, supongo que es el trabajo del mosfet cuidar los últimos 0.7 V.
Parece que los BJT están haciendo la mayor parte del trabajo duro y los mosfets se encargan de hacer que la salida alcance VDD y un GND fuerte.
Aunque podría estar equivocado.
