En este ejemplo, el transistor Q1 (uno de PNP) tiene +12V en el emisor y +15V en la base, el Vbe es +3, y siendo uno de PNP, está sesgado en sentido inverso con 3V. ¿Está bien sesgar de esta manera? Quiero decir que el transistor no se romperá. ¿Cuánto sesgo inverso puede soportar? No he visto esta información en la hoja de datos.
La unión BE puede estar sesgada al revés, y tu PNP estará apagada. El límite es el voltaje de ruptura de la unión BE, como en cualquier unión PN.
Mientras no exceda ese voltaje de avería, estará a salvo. El máximo voltaje inverso que la unión BE puede soportar suele estar listado en la hoja de datos del Calificaciones máximas absolutas sección.
Aquí sigue un extracto de la hoja de datos de una gominola PN2222 BJT (una versión "más reciente" de la "famosa" 2N2222):
Y este es un extracto de la hoja de datos de un transistor PNP de características comparables (pero complementarias) (PN2907 - Fairchild):
Nótese, en general, que el límite es bastante bajo (5V..8V normalmente, incluso para los transistores de potencia), lo que es un fuerte indicio de que revertir el sesgo de la unión BE de un BJT es un negocio arriesgado. Así que, a menos que sepas exactamente lo que estás haciendo, es mejor evitar invertir el sesgo de la unión BE por más de 1-2V.
En general, el sesgo inverso de 3V está bien para la mayoría de los transistores de gelatina, típicamente la clasificación es de 5V más o menos, y el desglose real más bien de 9V.
Esto es no necesariamente cierto para algunos transistores de RF, que pueden tener un voltaje de ruptura mucho más bajo.
Sin embargo, hay un problema práctico que puede ocurrir con su circuito. Si el suministro de 15V llega antes, o se mantiene después, del de 12V, el sesgo inverso será de 15V, y la unión emisor-base se romperá para todos los tipos de transistores menos para algunos.
¿Cuáles son las consecuencias de tal ruptura? Si la corriente se limita, como en su caso, a no más de 1,5mA, no mucho. La ganancia del transistor puede reducirse permanentemente si la corriente es grande y sostenida, o si la corriente es demasiado grande el transistor podría incluso ser destruido rápidamente.
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