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Cuando quieres una ESBT (emisor de conmutación de transistor bipolar)?

Me acabo de enterar sobre ESBTs, que parece ser un híbrido de BJT y MOSFET:

ESBT

Cuando yo busqué en google la mayoría de los enlaces llevó a STMicroelectronics, así que creo que actualmente son el único fabricante.
Me di cuenta de que muchos dispositivos de alta tensión (1000 a más de 2.000 V), y algunos dispositivos vienen en paquetes grandes,

ISOPAK

a pesar de ser relativamente baja corriente (esta es de 7A). Debe tener que ver con su aplicación de alto voltaje (2200V) de los circuitos.

Alguien ha utilizado uno de estos? ¿Cuáles son las ventajas de más de un MOSFET (además de tal vez la mayor tensión)?

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DavLink Puntos 101

Tradicionalmente, los MOSFETs son capaces de cambiar rápidamente, pero están disponibles para tensiones de hasta ca. 800 V o 1000 V solamente. Poder BJTs puede tomar > a 1000 V, pero no son tan rápidos.

El ESBT está disponible como un solo paquete, por parte de la ST, pero también puede ser realizado mediante dos discretos transistores. Aprovecha la ventaja de la configuración cascode, que combina el dispositivo de bajo voltaje de la capacidad de ser muy rápido y el alto voltaje de la capacidad del dispositivo para bloquear una gran tensión. La base del BJT se mantiene a una moderada tensión de CC, lo que causa su emisor a ser sólo un poco menos de 1 V por debajo de ella. Este emisor bajo voltaje es el voltaje máximo que el MOSFET tiene que bloquear.

El concepto es el que mejor ilustra la hora de pensar en la vuelta proceso: El MOSFET tiene que tomar sólo un poco menos que el pequeño voltaje de la base del BJT cuando ésta se apaga y por lo tanto se corta la corriente a través del BJT del colector y su propio drenaje muy rápido. Una vez que se corta la corriente por el MOSFET, el BJT del colector podría tomar de su tiempo a subir a lo alto voltaje que necesita para bloquear (y en realidad no toma mucho tiempo debido a que la corriente es cero ya), y el efecto de ralentización de sus Miller capacitancia (colector-base) no se muestran.

Las aplicaciones típicas son flyback convertidores de que el trabajo fuera un rectificado de 400 V (ac) autobús, por lo que se refiere a un diseño de 600...800 V (dc) y requiere de un transistor de bloqueo de tensión de 800 V + n * Vsal, siendo n el pri:sec índice de bobinado del transformador y Vsal siendo el voltaje de salida de CC del convertidor. Cuando una sola de alta tensión MOSFET es suficiente para conseguir el trabajo hecho en una aplicación de conmutación, es muy probable que esto sea la forma más económica de ir -- sin embargo elegante el concepto de usar el típico ventajas de dos diferentes dispositivos en una configuración cascode puede ser. ESBTs o similar MOSFET-y-BJT circuitos son un nicho de topología, a partir de mi experiencia.

NOTA (edición, agosto de 2012): parece que todos los de ST ESBT dispositivos ahora son marcados como NRND (no se recomienda para el nuevo diseño). Fuente. Realmente no mucho tiempo desde que fueron presentados/comercializados en PCIM Europa de 2008.

2voto

RelaXNow Puntos 1164

Muy interesante. Yo no sabía acerca de estos dispositivos antes. De un rápido vistazo, parece que ellos son un bipolar ejecutar en la base común de la configuración con la FET en serie con el emisor de hacer la conmutación de la corriente. El punto parece ser que usted consigue el alto voltaje de operación del BJT con la velocidad de la FET. Dado que la alta tensión de BJTs tienden a tener una baja ganancia, significa que la base de suministro de suministro de corriente significativa, y debe ser bastante sólido para mantener la base en el voltaje adecuado para minimizar la caída de tensión, pero aún así mantener el BJT operativo como un transistor.

Es interesante notar que para muchas aplicaciones el emisor del transistor podría ser más rápido de conmutación de baja tensión BJT. De hecho yo lo hice esta vez para hacer un transportista de la línea de transmisor de AM a 1 mhz. Esto fue en la universidad, y yo no tenía transistores con la combinación correcta de voltaje, velocidad, y la ganancia.

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