Qué elegir hFE o beta a partir del gráfico de la ficha técnica del transistor

Question

Supongamos que tengo esto BC635 transistor Si miro hFE entonces diría que el valor más bajo es 25 de esa tabla en el Electrical Characteristics categoría, pero si miro la Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage de donde obtengo el beta característica, en el lado derecho de la parcela beta es 10.

Ahora sólo me he enterado de la beta característica en la escuela, no sobre hFE , pero he leído en internet que son lo mismo, aunque esto no es cierto a juzgar por la hoja de datos que he enlazado.

La pregunta es: Qué debo utilizar en mis cálculos para la corriente de base si quiero utilizar un transistor como un simple interruptor de CC, beta de la parcela o hFE ?

Lo que es más preocupante es que algunas hojas de datos no tienen esos gráficos, ¿qué debo hacer ahí?

Answer 1

Si se utiliza el transistor como un interruptor saturado, entonces usted decidir cuál debe ser Ic/Ib.

Las características de saturación del transistor están garantizadas a Ic/Ib = 10. Lo más habitual es utilizar un poco menos de accionamiento, quizá Ic/Ib = 20, a menos que se esté muy cerca de los límites del transistor.

hFE es la ganancia en una condición no saturada (como un amplificador) con un Vce relativamente grande (2V en este caso). Es un parámetro poco controlado y varía mucho de una pieza a otra y con la temperatura.

Puede decir que debería tener forzado \$\beta\$ << hFE (especificado a una Vce alta) si quieres resultados consistentes.

Los gráficos son sólo una indicación del comportamiento típico, hay que mirar los límites garantizados para el diseño. Los gráficos pueden ayudarle a interpretar los resultados garantizados en condiciones de funcionamiento intermedias.

Entonces, supongamos que quieres conmutar 100mA. hFE (Vce = 2V) es típicamente alrededor de 100, y no se reduce mucho a medida que subes a 200mA (Figura 2) por lo que podemos estar bastante seguros de que no hace nada raro, pero el 100 es sólo típico. Podemos ver que hFE está garantizado para ser 40 a temperatura ambiente y 150mA, por lo que debería ser al menos 40 a temperatura ambiente y 100mA. Podría bajar un 30% a baja temperatura, así que nos queda una garantía de 28 a baja temperatura y para una unidad de baja ganancia. Creo que en este caso utilizaría Ic/Ib = 10, no 20.

Eso no significa que no puedas sacar un transistor BC635 cualquiera de la estantería y usar Ic/Ib = 50 y que funcione la mayoría de las veces pero eso no es un diseño adecuado. No seas ese tipo.

Answer 2

En la tabla, Hfe se especifica con una tensión colector-emisor de 2V. En la figura 3, el transistor está siendo forzado a entrar en saturación, es decir, Vce está principalmente por debajo de 0,1 voltios. Normalmente se observa que llevar un BJT a la saturación hace que Hfe se reduzca drásticamente. Tenga también en cuenta que el gráfico es "típico" y podría ser ligeramente peor.

Answer 3

\$h_{FE}\$ y \$\beta\$ son dos símbolos para la misma cosa.

La razón por la que el gráfico de saturación muestra \$I_C=10I_b\$ se debe a que la saturación es un comportamiento en el que la corriente de colector cae por debajo del nivel que se prevería en la región activa delantera ( \$I_C < \beta{}I_b\$ ). Si la situación fuera \$I_C=\beta{}I_b\$ la parte no estaría en saturación. En el gráfico, se especifica cuánto bajaron antes de caracterizar los voltajes.