Coeficiente de temperatura del MOSFET frente al coeficiente de temperatura del BJT

Question

Si utilizas transistores para un esquema de amplificación, debes asegurarte de que cuando pongas los dispositivos en paralelo, no empieces a conducir más corriente si tus transistores se calientan.

Sé que cuando se usan MOSFETs siempre hay retroalimentación negativa. Si uno toma más corriente, se calentará más, y por lo tanto la resistencia se hará más grande, y conducirás menos.

Cuando se utiliza un BJT el dispositivo que disipa más corriente, se calentará más y empezará a conducir más. Esto es inseguro y para solucionarlo siempre coloco una pequeña resistencia en serie con el emisor.

Pero, ¿cuál es la explicación física de que en un MOSFET tenga este coeficiente de temperatura positivo y en un BJT tenga este coeficiente negativo?

Answer 1

No sé la respuesta a su pregunta sobre la física que hay detrás de esto.

Pero tu afirmación sobre el coeficiente de temperatura del MOSFET sólo es cierta cuando el MOSFET funciona como interruptor.

En la región lineal (saturación) la mayoría de los MOSFET tendrán un coeficiente de temperatura tan negativo como los BJT.

Y en términos generales, el MOSFET puede tener coeficiente de temperatura negativo, positivo y cero. Y podemos ver esto en la característica de transferencia Id=f(Vgs) en la hoja de datos.

Más información

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ApplicationNote_Linear_Mode_Operation_Safe_Operation_Diagram_MOSFETs-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3646e9381200

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AND8199-D.PDF

Y aquí encontré un MOSFET especialmente diseñado para la aplicación de amplificadores de audio.

http://www.exicon.info/PDFs/ecw20n20-z.pdf

Como puedes ver para este MOSFET lateral si fijas la corriente de reposo en Id > 0,2A estás en la zona segura (coeficiente de temperatura cero o positivo) Y no se necesita una red de compensación de temperatura.