La presencia de agotamiento de la capa N-MOSFET

Question

La fuente y el sustrato de un N-MOSFET están conectados juntos y sesgada con potencial cero. A pesar de que, una fina agotamiento de la capa existe. Por qué?

Answer 1

Debido a que la fuente tiene N-tipo de dopaje y el sustrato de tipo P de dopaje, y juntos se forma una unión pn, o diodo. A pesar de no haber externa de potencial aplicado, un cruce formas un agotamiento de la capa.

Un realce-modo de MOSFET se enciende mediante el campo eléctrico de la puerta de desplazamiento de portadores de carga, de modo que el sustrato inmediatamente a continuación (el canal) temporalmente se convierte en N-tipo (tiene un exceso de electrones), la creación de un circuito de conducción entre la fuente y el drenaje.