¿Cómo no transistores de puerta flotante escapan la carga almacenada?

Question

Yo he hecho mi mejor esfuerzo para leer a través de Wikipedia explicaciones de los transistores de puerta flotante que se utilizan en la memoria flash. Parece que estos transistores tienen una región especial donde la carga se "almacena" y el usuario del circuito ha de hacer ciertas eléctrica manipulaciones para "desbloquear" la región y alterar el cargo.

Bien, pero ¿cómo es que el cargo quedará allí para siempre, tal que el transistor no tiene necesidad de carga de la "renovación"? AFAIK de memoria que utiliza condensadores de almacenamiento de datos tiene que ser "renovado" debido a que los condensadores se descargan lentamente a lo largo del tiempo.

Cómo hacer transistores de puerta flotante almacenar el cargo para siempre y no tienen necesidad de "refrescante"?

Answer 1

La respuesta corta es que no guarde el cargo de forma indefinida, aunque los datos de tiempo de retención es en décadas, por lo general.

Puerta flotante dispositivos son cargados a través de un quantum de túneles de óxido en un voltaje relativamente alto. En términos simples. un alto voltaje se aplica a la puerta de control, y los electrones viajan a través del túnel de óxido de la puerta flotante. Hay una serie de sutilezas que tengo que no se aborda aquí, pero la idea básica es correcta.

En la zona moderna de la bomba de carga está dentro de la IC, mientras que el público de mayor edad recordarán los dispositivos que tenía un Vpp' pin.

El túnel de óxido es muy delgada, por cierto. El nodo de proceso para un dispositivo que puede ser de 65 nm (sobre el más pequeño de la práctica nodo NI flash, por cierto), pero el túnel de óxido es típicamente 5nm a 10 nm de espesor.

La carga de la puerta flotante, finalmente, las descargas de la onu programadas por el estado de la misma forma en que estaba programado; por quantum de túneles.

Tenga en cuenta que de puerta flotante dispositivos son altamente susceptibles a la descarga en el X-Ray (comúnmente utilizado en el proceso de fabricación para inspeccionar las juntas de soldadura, especialmente en los dispositivos BGA), por lo que es prudente tener en el sistema de capacidad de programación.

HTH

Answer 2

La diferencia entre el DRAM (que almacena los bits en los pequeños condensadores, y los 'sentidos' la tensión en los condensadores para leer los bits) y EPROM/EEPROM/FLASH, es que el último utiliza flotante de los condensadores: los condensadores que tienen un lado no está conectado.

Entonces, ¿cómo hacer la lectura de un condensador sin conexión? El condensador es la puerta de un mosfet, y por lo tanto la carga en el capacitor/puerta influye en la conductividad de los mosfet.

Y cómo es la carga de un condensador cambiado? Una 'alta' tensión se utiliza para el túnel de los electrones en la puerta. Este proceso es algo destructivo, por lo tanto estas memorias tienen un número limitado de borrado/escritura de ciclos.

Hacer tales recuerdos en la tienda de su contenido para siempre? Bueno, sí, pero para valores pequeños de siempre :) Creo que de ~ 10 años.