¿Qué importancia tienen las curvas características de los BJT en el diseño de amplificadores?

Question

Iba a hacer un amplificador de tensión para señales débiles con el 2SD786, pero me he dado cuenta de que los fabricantes no han incluido las curvas características en las hojas de datos. ¿Cómo puedo optimizar el circuito si no conozco bien este transistor? Por ejemplo, según la hoja de datos \$h_{FE}\$ es muy diferente para las distintas condiciones. ¿Debo intentar generar las curvas yo mismo antes de utilizar este transistor?

ACTUALIZACIÓN:

Supongamos que para un determinado \$V_{CC}\$ , quiere elegir una buena línea de carga eligiendo \$R_L\$ . También se debe elegir un buen punto de funcionamiento en la línea de carga determinando la \$I_B\$ . Sin embargo, no tiene las curvas características.

Answer 1

Esa es la realidad de la fabricación de semiconductores. Algunos parámetros son realmente difíciles de controlar de forma estricta. Por lo tanto, se diseñan los circuitos de manera que las características generales del circuito no dependan en gran medida de las características reales de ningún dispositivo en particular. Luego, cuando se termina, se vuelve a verificar que el funcionamiento del circuito es aceptable en toda la gama de características posibles para cada dispositivo.

Parece complicado, pero pronto aprenderás a subdividir el problema para mantener las cosas bajo control. Aplica el mismo concepto a los circuitos de varias etapas: diseña cada etapa de forma que su rendimiento no dependa en gran medida de lo que se conecte a sus entradas y salidas.

Por ejemplo, en un amplificador, se utiliza la retroalimentación negativa para ajustar la ganancia del circuito de forma que no sea una función fuerte de la relación de transferencia de corriente real del transistor. Esto puede ser tan sencillo como poner una resistencia en serie con el emisor.

Answer 2

Estos transistores están "binetizados", por lo que se conoce el hFE en un rango bastante estrecho. Las piezas "R" tienen un hFE entre 180 y 390 a 10mA Vce y 6V Vce, por ejemplo. Así que un buen punto de partida sería 10mA Ic y diseñar una disposición de polarización para mantener la Vce deseada.

No tengo ni idea de quién es "New Jersey Semiconductor", pero esas piezas fueron fabricadas originalmente por Rohm de Japón (ahora descatalogadas). Todavía tengo un pequeño caché de ellos. Tal vez se especializan en piezas que ya no están disponibles y la gente va a pagar mucho dinero para.

Normalmente se utiliza la retroalimentación negativa (para la polarización y para la CA) y/o se colocan los transistores en el bucle de retroalimentación negativa de un buen amplificador óptico de bajo ruido, como el '5532, que elimina la mayor parte del efecto de las variaciones de hFE. Consideraciones similares entran en juego con los Ids de los JFETs utilizados en aplicaciones de muy bajo ruido.