Este dispositivo existe, aunque no es fácilmente disponible en unidades sueltas, su salida de los amplificadores se pondrá en el camino y es muy no lineal.
Es un MOSFET de Puerta Flotante, utilizado en la memoria Flash, EEPRom y el cic. La programación de la carga puede ser variable, aunque impredecible como el FN de túneles (Fowler Nordheim) será variable a través de la matriz. Mientras que los no-lineal es un efecto proporcional de modo que usted se pueda imaginar, diseñar un circuito lineal la programación de efecto (de Quinto turno). Va a ser estable a lo largo de semanas, meses, por lo que cumple con los requisitos de horas que usted dice que usted necesita.
Pero mucho depende de las especificaciones que usted necesita, cuánto deriva es aceptable etc.
Sólo para ser claro, no estoy hablando acerca del dispositivo/transistor no el componente completo como el de apoyo a circuitos de un Flash evitará el funcionamiento de las células de esta manera.
Aquí hay 3 referencias de un EDN artículo hablando de una empresa llamada GTronix que fue adquirida por el Nacional de la Semi (ahora de TI).
Lee, BW, BJ Sheu, y H Yang, "Analog flotante puerta de la sinapsis para propósito general VLSI la computación neuronal," IEEE transactions on de Circuitos y Sistemas, Volumen 38, número 6, junio de 1991, página 654.
Fujita, S, e y Amemiya, "flotante puerta analógico dispositivo de memoria para las redes neuronales," IEEE transactions on de Electrones de Dispositivos, Volumen 40, número 11, noviembre de 1993, pg 2029.
Smith, PD, M Kucic, y P Hasler, "Precisa de programación de analógico flotante-arreglos de compuertas," IEEE International Symposium on de Circuitos y Sistemas, Volumen 5, de Mayo de 2002, pg V-489.
Hay otra clase de dispositivo que se llama un operador de red (transistor de Nitruro de Metal Oxide Semiconductor) en el que tehere son dos dieléctricos en la puerta, uno de los cuales es Si3N4 que tiene un montón de trampas. Este dispositivo funciona de manera muy similar a la de flash de celda de arriba.